电子材料工学（唐子龙）5 超大规模集成电路的光刻技术.pdfVIP

课程五课程五：：光刻技术光刻技术 参考书参考书： Silicon VLSI Technology Fundamentals, Practice and Modeling, by James D. Plummer, Michael D. Deal and P. B.Griffin 电子材料工学-半导体材料 1 提纲提纲 光刻的基本原理光刻的基本原理 光刻胶光刻胶  先进光刻技术 电子材料工学-半导体材料 2 光刻光刻 光刻是限制晶体管尺光刻是限制晶体管尺 寸的最关键工艺。 ITRS 2009 IInternatiionall TTechhnollogy Roadmap for Semiconductor /Links/2007ITRS/ExecSum2007.pdf 电子材料工学-半导体材料 3 光刻的图形化光刻的图形化 （（I ）） 设计模板设计模板 制作模板制作模板 晶圆曝光晶圆曝光 速度慢 速度快 分辨率在几纳米 电子材料工学-半导体材料 4 光刻的图形化光刻的图形化 （（II ）） 光源、曝光系统 和光刻胶是光刻 过过程的的三要素。 电子材料工学-半导体材料 5 两种光刻过程两种光刻过程 紫外光紫外光 曝光 光刻胶 氧化硅 KrF-=248 nm (for 0.25 μm, 0.18 μm, 0.13 μm) 掩膜 ArFArF-= 193193 nmnm 正型光刻胶 负型光刻胶 (for 0.13 μm, 0.09 μm) /Courses/ce435/Polymers/Photoresist.html 电子材料工学-半导体材料 6 光源光源 •汞弧光灯：436nm(G-line), 365nm(I