半导体物理器件Chapter8.PPTVIP

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  • 2018-07-12 发布于江苏
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半导体物理器件Chapter8

8.1辐射复合和非辐射复合 在复合过程中电子多余的能量可以以辐射的形式(发射光子)释放出来,这种复合称为辐射复合,它是光吸收的逆过程。 在复合过程中电子的多余能量也可以以其它形式释放出来,而不发射光 子,这种复合称为非辐射复合。 光电器件利用的是辐射复合过程,非辐射复合过程则是不利的。了解半导 体中辐射复合过程和非辐射复合过程是了解光电器件的工作机制和进行器件 设计的基础。 8.1.1辐射复合 1.带间辐射复合 带间辐射复合是导带中的电子直接跃迁到价带与价带中的空穴复合。发射的光子的能量接近等于半导体材料的禁带宽度。 由于半导体材料能带结构的不同,带间辐射复合又可以分为直接辐射复合和间接辐射合两种: 8.1.1 辐射复合 8.1.1辐射复合 8.1.1辐射复合 8.1.1辐射复合 8.1.1辐射复合 3.施主?受主对(D-A对)复合 施主?受主对复合是施主俘获的电子和受主俘获的空穴之间的复合。在复合过程中发射光子光子的能量小于禁带宽度。这是辐射能量小于禁带宽度的一种重要的复合发光机制,这种复合也称为D-A对复合。 D-A对复合模型认为,当施主杂质和受主杂质同时以替位原子进入晶格格点并形成近邻时,这些集结成对的施主和受主系统由于距离较近,波函数相互交叠使施主和受主各自

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