PHOTO问答111.doc

PHOTO 知识问答 光刻工艺基础知识PHOTO; G8 Y( [$ m1 U% c% r光刻工艺基础知识PHOTO (注：引用资料) ( V: A$ I$ h+ D( ]　　光刻工艺基础知识5 ~- o- }9 J5 ` A8 k N5 kPHOTO 1 q- S9 p# m d, O　　PHOTO 流程? p- G6 i; F# X# s/ C6 d7 w6 g2 p. B( z　　答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測 5 }- {* \ D6 f5 m! Z　　何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 8 A. S2 p9 g1 `$ ?- i7 f　　答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上2 _% Z S% H2 M; g传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 ??x+ n$ u) D3 p4 |. N: l　　何为正光阻? # u: k; V( _4 B2 l　　答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改3 y E2 Y3 v# e6 d Q, N2 g/ a变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 # U2 @4 U e% S `1 r　　/ X+ h1 M5 [% \ [- G1 H　　何为负光阻? 5 p) Z8 a$ u$ C3 U; t D8 q　　答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种4 J4 r3 n/ j! j5 T, H3 E光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有) u2 I0 h1 K5 o4 ]被感光的部分则被显影过程去除。 0 b$ V* j: U d- }% J* e　　U( I; F3 _% f/ Z4 e　　什幺是曝光？什幺是显影？  M6 }! p7 Q$ R$ p　　答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将4 H d$ Z6 Y, H5 K d图形清晰的显现出来的过程。 9 [% Y1 v5 G8 p1 v6 F　　何谓 Photo? , E P??I5 C J6 b6 j4 Z/ b# V; f, N　　答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 ) } R y* v7 |4 A3 D( H2 N! O　　Photo主要流程为何? @ I) f* Q$ Q1 H2 O3 Z( T　　答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等. Q??{$ Y* H2 H1 u/ [ }??~。  e. y; m1 I3 i! x　　何谓PHOTO区之前处理? * `8 q8 s4 q??U- N% x　　答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻- ]$ J G5 M9 l能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通! n7 J) O1 q/ S: p0 S8 U过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结5 d# O; D; x0 d7 Q- e合。 $ |6 K9 m5 \/ R: j1 Y: z??L　　何谓上光阻? * y# Q s/ J+ G6 e　　答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被8 `; f# m) f7 D喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。 ( ]9 B7 e9 b( {+ T　　何谓Soft Bake? % \1 ?# X k3 G6 V0 t　　答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂! w; [% C/ g2 l G蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。 ??t8 j# s5 E4 o1 Y, F　　何谓曝光? ( _! w- @: n) H9 N S r7 S5 C L( _$ a p　　答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer8 [% o0 k$ c0 Z5 w9 ]* p9 H: t5 ]上的过程。 V3 ~3 v0 z0 `: m( o* V　　何谓PEB(Post Exposure Bake)? . i( y g* b j5 y4 t　　答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精