项目1—直流稳压电源.ppt

;项目一 直流稳压电源的制作; 知识目标 ;二、知识准备;硅和锗的简化模型;1.1.2杂质半导体;（2） N型半导体;（1）PN结的形成; 在空间电荷区内，由于N区为正离子区，P区为负离子区，它们之间的相互作用就形成了一个内电场，且方向为从N区指向P区。这个内电场一方面由于方向与载流子扩散运动的方向相反，阻碍扩散的进行；另一方面，它又促使N区的少子空穴进入P区，P区的少子自由电子进入N区，这种在内电场力的作用下，少子的运动称为漂称运动。 ;（2）PN结的单向导电性;② PN结外加反向电压时处于截止状态;1．2 半导体二极管;（2）半导体二极管的符号;（4）半导体二极管的外形;① 正向特性; 温度对二极管特性的影响 ; 解：① 流过二极管的直流电流即为该回路电流，而二极管加的是正向电压，使二极管处于导通状态，两端电压降UD=0．7V，即 ;例1—2 在下图电路中，试判断小灯泡是否会发亮？;③ 反向饱和电流IR ;（4）二极管的质量鉴别;（2）检波 ;（4）开关电路 ;（5）低电压稳压 ;（2）稳压管的主要参数; 发光二极管的工作电流，一般为几毫安至几十毫安，正向电压多为1．5～2．5V之间，它的质量好坏也可用万用表判别断：用万用表的R×10K档（此时内电池多为6V或9V）测其正向及反向电阻值，当正向电阻值小于50KΩ，反向电阻值大于200KΩ时均为正常。若万且表没有R×10K档，可以用R×100或R×1K档再串一个1．5V电池，如下图示，此时，万用表笔两端的电压为3V。超过其正向电压值，可使发光二极管正向导通而发亮。;1.3.3光电二极管;1.3.4变容二极管;1.3.5激光二极管;1.4 特种半导体器件简介 ;光敏电阻的主要参数为：;1.4.2热敏电阻;（2）热敏电阻的伏安特性和主要参数;1.4.3压敏电阻;（2）压敏电阻的特性和主要参数;（a）结构 （b）符号;1.4.5光电耦合器;（2）光电耦合器的工作原理及主要参数;2 半导体三极管;三极管要具有电流放大作用，制造工艺中要具备以下内部条件： （1）发射区高掺杂。其掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度，能发射足够的载流子；（2）基区做得很薄且掺杂浓度低，以减小载流子在基区的复合机会；（3）集电结结面积比发射结大，便于收集发射区发射来的载流子及利于散热。;（1）发射区向基区发射电子;2.2.3 三极管电流分配关系及放大作用;将输入电流IB与输出电流IC之比定义为共发射极直流电流放大系数;2.3三极管的特性曲线;2.3.2输出特性曲线;; 三极管具有“开关”和“放大”两大功能，当三极管工作在饱和和截止区时，具有“开关”特性，可应用于数字电路中；当三极管工作在放大区时，具有放大作用，可应用于模拟电路中。;2.4三极管的主要参数及简单测试;（2）极间反向电流;（3）极限参数;2.4.2三极管的简单测试;（2）代换;3 场效应管 ;3.1.2工作原理; N沟道结型场效管工作原理示意图 ;3．1.3输出特性曲线;⑴ 可变电阻区;3.2.1 N沟道增强型NMOS管;（2）工作原理;3.2.2 N沟道耗尽型MOS管;3.3 场效应管的主要参数;（5）直流输入电阻RGS;4 整流电源;4.1.2负载上的直流电压和电流值的计算 ; 整流电路输出电压的脉动系数S定义为输出电压基波的最大值与 其平均值的比值。 ; 流过二极管的平均电流为：; 在u2的正半周时，VD1为正向导通，电流iD1经VD1流过RL回到变压器的中心抽头。此时VD2处于反向偏置而截止。 ;4.2.3二极管的选择　; 单相桥式整流电路;4.3.2 负载上直流电压和电流值的计算 ; 例1-6 某光电检测仪的光码盘电机，要求9V直流电压和额定电流为500mA的直流电源，试为该电源选择整流元件和整流变压器。;二极管额定电流 ;5 滤波电路;半波整流电容滤波电路;5.1.2 单相全波桥式整流电容滤波电路;5.1.3 电容滤波电路的分析与估算 ;5.2电感滤波电路;5.3复式滤波电路;6 稳压电路;稳压原理如下：设负载电阻不变，当输入电压 增大时，输出电压将上升，使稳压管的反向电压略有增加。根据稳压管反向击穿特性，稳压管的反向电流将大幅度增加，于是流过电阻的电流I也将增加很多，所以限流电阻上的电压将增大，使得 增量的绝大部分降落在R上，从而使输出电压 基本保持不变。 ;设输入电压 不变，当负载电阻 减小时，流过负载的电流 将增大，导致限流电阻上的总电流I增大，则电阻上的压降增大。因输入电压不变，所以使输出电压下降，即稳压管上的电压下降，其反向电流 立即减小，如果