08第8章半导体器件.ppt

三层半导体材料构成NPN型、PNP型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 E C B 各区主要作用及结构特点： 发射区：作用：发射载流子 特点：掺杂浓度高 基区：作用：传输载流子 特点：薄、掺杂浓度低 集电区：作用：接收载流子 特点：面积大 P P N E B C 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B PNP 型 二、分类： 8.1 半导体的基本知识 8.2 半导体二极管 8.3 特殊二极管 8.4 半导体三极管 半导体器件 第 8章 第8章 小结 电子线路基础 第8章 8.1 半导体的基本知识 8.1.1 半导体的概念 8.1.2 半导体的特性 8.1.4 N型、P型半导体 8.1.3 本征半导体 8.1.5 PN结及单向导电性能 半导体 : 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体: 纯净的半导体。如硅、锗、砷化镓等。 8.1.1 半导体的概念 半导体电阻率为 。 8.1.2 半导体的特性 1 掺杂性 2 温度敏感性 3 光敏感性 本征半导体： 纯净的半导体。如硅、锗、砷化镓等。 载流子： 自由运动的带电粒子。 共价键 ： 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 +4 +4 +4 +4 硅(锗)的原子结构 Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 简化 模型 +4 惯性核 硅(锗)的共价键结构 价电子 自 由 电 子 (束缚电子) 空 穴 空穴 空穴可在共 价键内移动 8.1.3 本征半导体 本征激发： 复 合： 自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 漂 移： 自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 两种载流子 电子(自由电子) 空穴 两种载流子的运动 自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 半导体的导电特征 I IP IN I = IP + IN + – 电子和空穴两种载流子参与导电 在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流IN 。空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流IP 。 结论: 1. 本征半导体中电子空穴成对出现, 且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外 界条件有关。 8.1.4 N型、P型半导体 本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力很弱。如果有控制、有选择地掺入微量的有用杂质（某种元素），将使其导电能力大大增强，成为具有特定导电性能的杂质半导体。 一、N 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入五价元 素磷。 N 型 磷原子 自由电子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 ? 电子数 +5 +4 +4 +4 +4 +4 正离子 多数载流子 少数载流子 N 型半导体的简化图示 P 型 硼原子 空穴 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 二、P 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入三价元 素硼。 +4 +4 +4 +4 +4 +3 P型半导体的简化图示 多数载流子 少数载流子 负离子 8.2 PN结的形成及单向导电性 一、PN结的形成 1.载流子的浓度差引起多子的扩散 2. 复合使交界面形成空间电荷区 (耗尽层) 空间电荷区特点: 无载流子、 阻止扩散进行、 利于少子的漂移。 3. 扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。 内电场 扩散运动： 漂移运动： 由浓度差引起的载流子运动。 载流子在电场力作用下引起的运动。 1.加正向电压(正向偏置)导通 P 区 N 区 内电场 + ? U R 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 I 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 I 。 I = I多子 ? I少子 ? I多子 2.加反向电压(反向偏置)截止 P 区 N 区 ? + U R 内电场 外电场 外电场使少子背离 PN 结移动，