西安交通大学_微电子制造技术_六章_硅片制造中的沾污控制.pptVIP

微电子制造技术第 6 章 硅片制造中的沾污控制 引 言 一个硅片表面有多少个芯片，每个芯片差不多有数以千万计的器件和互联线路，它们对沾污非常敏感。随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而不断缩小，控制表面沾污变得越来越关键。 本章将介绍硅片制造中各种类型的沾污和它们的来源，以及怎样有效控制沾污等内容，以制造包含最小沾污诱生缺陷的高性能产品 为了控制制造过程中不能接受的沾污，半导体产业开发了净化间。净化间以超净空气把芯片制造与外界的沾污环境隔离开来，包括化学品、人员和常规的工作环境。 学 习 目 标 1. 了解5种不同类型的净化间污染，并讨论与每种污染相关的问题； 2. 列举净化间的7种沾污源，并描述每一种是怎样影响硅片的洁净； 3. 解释并使用净化级别来表征净化间的空气质量； 4. 说明两种湿法清洗的化学原理，解释每一种分别去除那种污染。 污染的类型 沾污经常导致有缺陷的芯片，而致命缺陷又是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因。据估计80％的芯片电学失效是由沾污带来的缺陷引起的。 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。这里将主要集中于芯片制造工序中引入的各种类型的表面沾污。净化间沾污分为五类： 颗粒 金属杂质 有机物沾污