西安交通大学_微电子制造技术_十三章_光刻.pptVIP

Figure 13. 微电子制造技术第 13 章 光刻:气相成底膜到软烘 学 习 目 标 1.了解光刻的基本概念，包括工艺概述、关键尺寸划分、光谱、分辨率、工艺宽容度等； 2.讨论正性胶和负性胶的区别； 3.了解光刻的8个基本步骤； 4.讨论光刻胶的物理特性； 5.解释软烘的目的，并说明它在生产中如何完成； 光刻的基本概念 光刻就是利用光刻胶的感光性和耐蚀性，在各种薄膜上复印并刻蚀出与掩摸版完全对应的几何图形。以实现选择性掺杂和金属布线的目的。是一种非常精细的表面加工技术，在芯片生产过程中广泛应用。光刻精度和质量将直接影响器件的性能指标，同时也是影响制造成品率和可靠性的重要因素。光刻过程如图所示 光刻是一种多步骤的图形转移过程，首先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶园表面的每一层。 图形转移通过两步完成。首先，图形被转移到光刻胶层，光刻胶经过曝光后自身性质和结构发生变化（由原来的可溶性物质变为非可溶性物质，或者相反）。再通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，不能溶解的光刻胶就构成了一个图形（硅片上的器件、隔离槽、接触孔、金属互联线等），而这些图形正好和掩膜版上的图形相对应。形成的光刻胶图形是三维的，具有长、宽、高物理特征（见下图）。 掩 膜 版 掩膜版有投影掩膜版和光掩膜版之分。投影掩膜版(r