4章-5.CMOS功耗.ppt

动态功耗的来源 开关过程对输出节点电容的充放电； 当输出节点出现由0到1的变化时, 需要电源提供能量对电容充电。 CMOS动态功耗的计算 CMOS电路的动态功耗 CMOS动态功耗的另一种计算 当输出由0向VDD变化, PMOS导通消耗功耗, 当输出由VDD向0变化, NMOS导通消耗功耗 CMOS电路的短路功耗 概念：开关过程中的直流导通电流 短路的物理过程：输入波形的上升边和下降边使NMOS和PMOS都导通，形成电源到地的电流 短路功耗的计算： 短路功耗的计算 对称设计情况： 输入达到VDD/2时短路电流达到峰值， t1-t2与t2-t3期间短路电流对称； 输入上升边与输入下降边的短路电流对称 短路功耗的计算（续） 反相器中MOS的工作区域 CMOS电路的静态功耗 各功耗源的发展趋势 影响功耗的主要因素 影响动态功耗的因素 – 降低电源电压；（不是无限制的） – 减小负载电容；（更有效） ? 减少MOS管数量（如CPL电路） ? 减小连线电容 ? 减少电荷分享的影响(对动态电路) – 节点开关活动因子的影响； – 从算法和体系结构角度优化--最有效！ 反相器直流传输特性与电源电压关系 电路的开关活动因子（略） 影响功耗的主要因素(续) 影响短路功耗的主要因素 – 短路功耗与输入信号的上升、下降时间有关 影响功耗的主要因素(续) 短路功耗与器件阈值电压相对电源电压的比例有关 影响功耗的主要因素(续) 影响静态功耗的主要因素 – 降低电源电压减少高电场引起的二级效应； – 减小亚阈值电流； – 避免非理想输入引起电路直流导通电流； 减小亚阈值电流的技术 不同设计层级对功耗优化的作用 本章结束 * 半导体集成电路 输入电压上升到VT的时刻 输入电压上升到中间的时刻 理想情况下，Psc=0 同时，工作速度要求电源电压尽可能高，因此需要折中设计—电压分区 亚阈值电流与阈值电压的关系 * * *