6(速度、加速度).ppt

小 结 第一部分 电容式传感器 原理 应用 第二部分 光电式转速传感器 原理 应用 第三部分 霍尔式转速传感器 原理 应用 6、霍尔式接近开关 当磁铁的有效磁极接近、并达到动作距离时，霍尔式接近开关动作。但是它只能用于铁磁材料的检测，并且还需要建立一个较强的闭合磁场。 霍尔式接近开关 当磁铁随运动部件移动到距霍尔接近开关几毫米时，霍尔IC的输出由高电平变为低电平，经驱动电路使继电器吸合或释放，控制运动部件停止移动（否则将撞坏霍尔IC）起到限位的作用。 霍尔式接近开关用于转速测量演示 软铁分流翼片 开关型霍尔IC T 7、霍尔电流传感器 将被测电流的导线穿过霍尔电流传感器的检测孔。当有电流通过导线时，在导线周围将产生磁场，磁力线集中在铁心内，并在铁心的缺口处穿过霍尔元件，从而产生与电流成正比的霍尔电压。 霍尔电流传感器演示 铁心 线性霍尔IC EH=KH IB 其他霍尔电流传感器 其他霍尔电流传感器（续） 霍尔钳形电流表（交直流两用） 压舌 豁口 霍尔钳形电流表演示 直流200A量程 被测电流的导线未放入铁心时示值为零 70.9A 霍尔钳形电流表的使用 被测电流的导线从此处穿入钳形表的环形铁心 手指按下此处，将钳形表的铁心张开 将被测电流导线逐根夹到钳形表的环形铁心中 用钳形表测量电动机的相电流 霍尔式电流谐波分析仪 被测电流的谐波频谱 铁心的开合缝隙 铁心的杠杆压舌 霍尔传感器用于测量磁场强度 霍尔元件 测量铁心 气隙的B值 绪论 绪论 * c d a b 磁感应强度B为零时的情况 磁感应强度B较大时的情况 在霍尔器件激励端通入电流I，将霍尔片置于垂直的磁场中，则电子受到洛仑兹力FL的作用，向一侧偏移形成电子的堆积，从而产生电场，当电子所受的洛仑兹力FL及与FL方向相反的电场力的作用力相等时，电子积累达到动态平衡。电子堆积在垂直端面上产生霍尔电势。 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 c d a b 作用在半导体薄片上的电流I越大、磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示： EH=KHIB 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度?时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为 EH=KHIBcos? 结论： 霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电势为同频率的交变电势。 3．霍尔元件常用材料： 目前常用的霍尔元件材料是N型硅，其霍尔灵敏度、温度特性、线性度均较好，而锑化铟、砷化铟、锗等也是常用的霍尔元件材料，砷化镓是新型霍尔元件材料。 （a）霍尔元件结构示意图 （b）图形符号 （c）外形 二、霍尔元件的特性参数 1．输入电阻： 霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。温度升高，输入电阻变化，从而使输入电流改变，引起霍尔电势变化。采用恒流源，可减小影响。 2．输出电阻： 霍尔电势输出端间的电阻，其值也随温度而改变。选择适当负载与之匹配，可使温度变化引起的霍尔电势的漂移减至最小。 注意：Ri和Ro是纯电阻，可用直流电桥或欧姆表直接测量。Ri和Ro均随温度改变而改变，一般为几欧姆到几百欧姆。 4．最大激励电流IM： 由于霍尔电势随激励电流增加而增大，故在应用中，总希望选用较大的激励电流。但激励电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件的温度升高，从而引起霍尔电势的温漂增大，因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安到几十毫安。 5．灵敏度KH： KH反映了霍尔元件本身所具有的磁电转换能力，单位为mV/（mA?T）。 3．额定激励电流I： 霍尔元件在空气中产生10℃的温升时所施加的激励电流值称为额定电流I。 6.不等位电势UM 在额定激励电流下，当外加磁场为零时，霍尔元件输出端之间的开路电压为不等位电势。一般要求霍尔元件的UM??1?mV，优质的霍尔元件的UM可以小于0.1?mV。在实际应用中多采用电桥法来补偿不等位电势引起的误差。 7.霍尔电势温度系数? 在一定磁感应强度和激励电流的作用下，温度每变化1℃时霍尔电势变化的百分数称为霍尔电势温度系数?，它与霍尔元件的材料有关，一般为0.1%/℃左右，在要求较高