超大规模集成电路中的电沉积铜超大规模集成电路中的电沉积铜.pdfVIP

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2017-12-15 发布于贵州
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超大规模集成电路中的电沉积铜超大规模集成电路中的电沉积铜

年月电镀与精饰第卷第期总期 2004 1 26 1 ( 154 ) !13 ! 文章编号 1001-3849 (2004) 01-0012-05 D 超大规模集成电路中的电沉积铜辜敏杨防祖黄令姚士冰周绍民厦门大学化学系物理化学研究所福建厦门 ( 361005) 摘要利用铜代替铝作为超大规模集成电路的互连接线代表了半导体工业的重要转变铜电沉积是互连大马士革工艺中最为重要的技术之一综述了铜在芯片微刻槽中电沉积填 (Damascene ) 充的过程机理并着重讨论了实现无裂缝和无空洞理想填充的主要因素镀液的组成和添加剂的影响关键词铜电沉积微刻槽填充超大规模集成电路中图分类号 153. 14 文献标识码 A copper electrodeposition in ULSI - - - GU Min YANG Fang Zu HUANG Ling YAO Shi bing ZHOU Shao min ( Department of chemistry Institute of physical chemistry Xiamen University Xiamen 361005 china ) - ( ) Abstract Shif t f rom Al to cu interconnects in Ultra Large Scale Integrate ULSI is important f or semiconductor industry . cu electrodeposition is one of the most important technologies in the Damascene f abrication of interconnects. he procedure and mechanism of copper f illing in the trench of the chip are reviewed the ef f ect of electrolyte components and additives on superf illing are discussed . Keywords copper electrodeposition trench f illing ULSI