Ⅲ－族氮化物半导体研究进展.pdf

第44卷 第 3期 化 工 技 术 与 开 发 V01．44 No．3 2015年 3月 Technology DevelopmentofChemicalIndustry Mar-20l5 Ⅲ一族氮化物半导体的研究进展 韩 波，李钟玉，兰云军 (温州大学化学与材料工程学院，浙江 温州 325035) 摘 要：近年来，Ⅲ一族氮化物材料引起了科学工作者的极大兴趣，并取得了重大的进展。本文介绍了Ⅲ一族氮 化物材料和器件的发展，评述了Ⅲ一族氮化物的掺杂和Ⅲ一族氮化物合金的研究现状。最后，简要展望了Ⅲ一族氮化 物未来的应用潜能。 关键词：DI一族氮化物；半导体 ；研究进展 中图分类号：TN304．23 文献标识码：A 文章编号：1671．9905(2015)03—0023—08 m—N基半导体是一类重要的光电功能材料， 1Ⅲ一族氮化物材料和器件的发展 具有较宽的带隙，它们的透光范围可以从紫外光区 Ⅲ一族氮化物材料被广泛用于光电子器件，如 一 直延伸到近红外光区。同时，它们还具有较低的 发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、紫外线(uV) 压缩性、较高的导热性以及 良好的化学稳定性，相比 检测器、太阳能电池、表面声波装置、高温和高频率 大多数镉化合物半导体材料，11I—N基类半导体材 的场效应晶体管(FET)、异质结双极晶体管(HBT) 料毒性更低。这些突出的物理和化学性质使其成为 等 [3-7]，而这些光 电器件可以用于固态照明、全彩显 一 类备受关注的光电功能材料。1962年GaAs激光 示屏、激光打印机、高密度信息存储和通信的电子设 二极管的问世，拉开了对Ⅲ一V族材料特别是GaN 备中，同时这些 电子设备又可以应用于汽车发动机、 和 InN以及它们的固溶体等研究开发的序幕。以 未来先进的配 电系统、电子汽车和航空等领域。在 GaN、InN等为代表的第三代半导体宽禁带化合物 过去的几十年里，Ⅲ一族氮化物已获得研究者的显 比以前的半导体材料有更大的优势和应用前景，成 著关注，并取得了突飞猛进的发展 [8-14]。 为21世纪初最活跃的半导体材料体系。表 1列出 纤维锌矿结构的GaN和A1N在室温下的带隙 了300K下二元氮化物的一些基本属性。 能为 3．4eV和 6．2eV (图 1)，由于在之前一直认为 表 1 300K下二元氮化物的基本属性 Table1 theproperitiesofbinarynitrideunder300k InN的带隙能为 1．9eV，所 以InN与GaN合金的带 隙能处于 1．9～3．4eV的范围内，InN和A1N合金的 Latticeconstanta／nm 0-3l12 0．3189 0．3533 带隙能处于 1．9-6．2eV的范围内。这为Ⅲ一族氮化 Latticeconstantc／nm 0．4982 0．5185 0．5693 物材料应用到绿色、蓝色和紫外范围的光 电设备中 Ratio