西安邮电大学集成电路版图设计chapterpart集成电路制造new.pptVIP

版图设计师培训 邓军勇 djy@xiyou.edu.cn 029第三章 版图设计 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 电路在芯片上的工作模拟 版图的层 版图的层 内容 硅工艺概述及CMOS工艺流程 材料生长与淀积 刻蚀 设计规则 硅工艺概述及CMOS工艺流程 单晶硅的生长 晶体生长是把半导体级硅的多晶块转换成一块大的单晶硅。把多晶转变成一个大单晶，给与正确的定向和适量的P型或者N型掺杂，称为单晶硅的生长。85%的单晶是CZ法生产出来的. 直拉法（CZ 法） CZ 拉单晶炉 掺杂 杂质控制 单晶硅的生长 单晶硅的生长 为了在最后得到所需电阻率的晶体，掺杂材料被加到拉单晶炉的熔体中，晶体生长中最常用的掺杂杂质是生产p型硅的三价硼或者生产n型硅的五价磷。硅中的掺杂浓度范围可以用字母和上标来表示，如下表所示 单晶硅的生长 Wafer制备过程 Wafer制备过程 Wafer 硅工艺概述及CMOS工艺流程 确定晶体管的基底区域 确定晶体管的基底区域 确定晶体管的基底区域 确定晶体管的基底区域 确定晶体管的基底区域 确定晶体管的基底区域 形成并绘制多晶硅栅的图案 晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包含了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的形成，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。1）栅氧化层的生长：在高温氧化炉中生成一层20~50埃