周立功ARM调试心得.docx

周立功ARM调试心得2008-9-11调试SmartARM2200 V2.02实验箱心得： 　1、在调试E:\htwang\smart2200v201\ARM嵌入式系统实验教程(二)\开发板出厂编程程序\液晶显示程序\LCM_Disp的程序时，想使用外部RAM进行仿真调试，在将ADS1.2中的DebugInExram Settings-Arm Linker - Output - Equivalent Command Line的-info totals -entry 0x8100000 -scatter .\src\mem_b.scf改为-info totals -entry 0-scatter .\src\mem_b.scf时，编译时总是出现错误信息Error: L6206E: Entry point(0 lies outside the images，经梁工（宝琼）提示：这是由于程序空间超出范围，需要改一个参数。打开关于外部RAM调试的分散加载文件mem_b.scf发现所有的程序调试地址都是指向0Flash地址空间，而不是0RAM地址空间（此时硬件电路板上的短路片RAM接CS0、Flash接CS1），后把0x81******全部改为0x80******，编译调试都正常。 　2、不正常现象：在调试SmartARM2200 V2.02实验箱时，每次实验箱断电或实验箱上复位按键后，H-Flash的Load操作都要重新执行一遍（或者简单一点：只要在H-Flash - Programming - Check 按钮上点击一下也可以），否则下载程序后实验箱运行不了。 　（先是在选用DebugInExram出现这种情况，后选用RelOutChip则不会出现这种情况。） 　2008-9-12 另外，每次重新启动H-JTAG和H-Flash后，都要将H-Flash重新设一遍。 　3、 现象：在调试GB_Disp工程时，程序无法正常运行。 　分析：当调试的程序中包含中断时，分散加载文件mem_*.scf的IRAM 项设置不能从0始，而应该从0始（给中断向量留下空间），否则程序无法调试。（先是在选用RelOutChip出现这种情况，后选用DebugInExram也出现这种情况。） 　 2008-9-12 htwang注: 上面的解释并不正确，因为在调试其他中断实验的过程中，配置文件mem_*.scf的IRAM 项设置成从0始也可以正常运行。（估计可能是存储器映射的问题） 　打开GB_Disp工程target.c文件，果然发现在函数void TargetResetInit(void)中将存储器映射寄存器初始化成MEMMAP ＝ 0x2，这是选用的用户RAM模式，中断向量也从静态RAM重新映射。如果想映射到用户外部存储器模式，应该改为MEMMAP ＝ 0x3（见《ARM嵌入式系统基础教程》P166 或《深入浅出ARM7-LPC2200》P119）。按此方式更改后，实际调试也正常。 　 　（2008-9-12）结论：要么把该工程文件mem_bscf中的IRAM 项改成从0始；要么把该工程文件target.c中的存储器映射初始化为MEMMAP ＝ 0x3。 　4、在调试中断程序时，如果使用IRQ.S中的汇编宏定义程序和IRQ_Eint3_Handler HANDLER IRQ_Eint3代替原来的C语言函数中断方式（当然同时将代码VICVectAddr0 = (uint32)IRQ_Eint3;改为VICVectAddr0 = (uint32)IRQ_Eint3_Handler; ），则应将C语言中断函数void __irq IRQ_Eint3(void)改写成void IRQ_Eint3(void)。 　否则调试是出现的情况就是程序在IRQ_Eint3_Handler HANDLER IRQ_Eint3和中断函数void __irq IRQ_Eint3(void){}里面反复执行，再也退不出来。 　2008-9-12调试SmartARM2200 V2.02实验箱心得： 　5、现象：在自己编写定时器中断程序时，如果自己用工程模板ARM Executable Image for lpc2200建立工程并编写中断程序后，调试过程中总是不能进入中断，但是用定时中断的事例程序可以进入。 　原因：经将自己建立的模板工程文件中的Startup.s文件和事例程序中的比较，发现在模板工程的Startup.s文件中的堆栈初始化代码InitStack 中有一行语句为： 　;设置系统模式堆栈 　MSR CPSR_c, #