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第三章 场效应管及其基本放大电路 §3.1 MOS场效应管 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 当UGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压UDS对 漏极电流ID的影响。UDS的不同变化对沟道的影响。 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 §3.2 结型场效应管 §3.3 场效应管的主要参数和微变等效电路 §3.4 场效应管放大电路 微变等效电路 ? 高频微变等效电路 Cgd S D gmUgs gds Ugs + - + - Uds G ID Cgs Cds 场效应管偏置电路 三种基本放大电路 * §3.1 MOS场效应管 §3.2 结型场效应管 §3.3 场效应管的主要参数和微变等效电路 §3.4 场效应管基本放大电路 小结 概 述 场效应管与晶体管的区别 1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 2. 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单级型器件。 3. 晶体管的输入电阻较低，一般102~104?； 场效应管的输入电阻高，可达109~1014? 场效应管的分类 结型场效应管JFET MOS型场效应管JFET 增强型MOS场效应管 耗尽型MOS场效应管 MOS场效应管