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第8章 光刻 微电子工艺(5) --光刻与腐蚀 田丽 第8章 光刻 8.1 概述 8.2 光刻工艺流程 8.3 光刻胶的基本属性 8.4 光刻方法 8.5 掩模版的制造 8.6 紫外光曝光 8.7 X射线光刻 8.8 电子束光刻 8.1 概述 光刻是光学照相和腐蚀技术相结合，将设计图形转移到晶片表面薄膜上的工艺技术。 发展历程：光学光刻(可见光、紫外UV、深紫外DU、极紫外EUV)，电子束EB，X射线 包含内容：光刻工艺，制版技术，光刻设备，光刻胶，腐蚀技术等多方面。 8.1.1光刻分辨率 分辨率 线条和间隔清晰可辨时每mm中的线对数 R=1/2L (mm-1)； 直接用线宽L表示 存在物理极限，由衍射效应限制线宽L： L≥λ/2 Rmax ≤1/λ 物理极限 8.1.2 IC对光刻的要求 高分辨率 高灵敏度的光刻胶 低缺陷 精密的套刻精度：误差≤± 10%L 可对大尺寸硅片进行光刻加工 8.1 光刻工艺流程 光刻是光作用与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的工艺方法。 1 涂胶 在硅片表面涂敷的光刻胶应厚度均匀、附着性强、没有缺陷。 在涂胶之前，硅片一般需要经过脱水烘焙，或涂敷能增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物。 六甲基乙硅氮烷 (HMDS) 三甲基甲硅烷基二乙胺（TMSDEA） HMDS与SiO2表面键合示意图 涂胶工艺示意图 2 前烘 液态光刻胶中，溶剂的成份占65-85％。经过甩胶之后，虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍含有10-30％的溶剂，容易玷污灰尘，通过在较高温度下进行烘焙，可以使溶剂从光刻胶内挥发出来。 前烘方法：热平板传导；红外线辐射；干燥循环热风。 注意：温度；时间 3 曝光 光刻胶曝光后发生光化学反应，该工序是光刻工艺的关键工序。 工艺上要保证对版准确，曝光时间恰当。 光学曝光有接触式和非接触式两种方法，接触式曝光出现早，目前只有简单图形采用此法光刻，非接触式曝光是光学光刻的主要方式。 防驻波效应----曝光后烘焙 简单的光学系统曝光图 4 显影 正胶的曝光区和负胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解，而正胶的非曝光区和负胶的曝光区的光刻胶则不会在显影液中溶解。 曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形，显影后便显现出来，在光刻胶上形成三维图形，这一步骤称为显影。 注意： 正胶；负胶 显影后的镜检—在显微镜下发现有下列问题返工 光刻胶钻蚀 图形尺寸变化 套刻对准不良 光刻胶膜损伤 线条是否齐、陡 针孔、小岛 金属光刻后，做金属腐蚀时，残留物出现 5 坚膜 坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起的胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，抗腐蚀能力提高。 坚膜温度要高于前烘和曝光后烘烤温度，较高的坚膜温度可使坚膜后光刻胶中的溶剂含量更少，但增加了去胶时的困难。且光刻胶内部拉伸应力的增加会使光刻胶的附着性下降，因此必须适当的控制坚膜温度 。 6 腐蚀、去胶 腐蚀 湿法腐蚀SiO2、Al、poly-Si等薄膜 干法腐蚀 去胶 湿法去胶，用溶剂、用浓硫酸 负胶： 98%H2SO4+H2O2+胶→CO+CO2+H2O 正胶： 丙酮 干法去胶（Ash) 1.氧气加热去胶 O2+胶 → CO+CO2+H2O 2.等离子去胶（Oxygen plasma ashing） 高频电场 O2?电离O－＋O＋ O＋活性基与胶反应 CO2?， CO ?， 镜检 H2O?。 8.3光刻胶的基本属性 光刻时接受图像的介质称为光刻胶。 以光刻胶构成的图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀，图形就转移到晶片表面的薄膜上了，所以也将光刻胶称为抗蚀剂。 8.3.1 光刻胶组成分类 感光剂，胶的主体，又称光敏剂； 聚合物材料，使胶具有一定的粘度，能均匀涂覆； 增感剂，能增加胶的感光能力的物质。 溶剂 2 分类 按曝光区在显影中被去除或保留来划分： 正（性）胶 负（性）胶 按其用途划分： 光学光刻胶 电子抗蚀剂 X-射线抗蚀剂 负胶多由长链高分子有机物组成。响应波长330-430nm，胶膜厚度0.3-1μm。 响应波长330-430nm 胶膜厚1-3μm，显影液是氢氧化钠等碱性物质。 顺聚异戊二烯负胶显影原理 曝光的顺聚异戊二烯在交联剂作用下交联，成为体型高分子，并固化，不再溶于有机溶剂构成的显影液，而未曝光的长链高分子溶于显影液，显影时被去掉。 正胶DQN显影原理 曝光的重氮醌退化，易溶于显影液，未曝光的重氮醌和树脂构成的胶膜难溶于碱性显影液。 正、负胶比较 正胶，显影容易，图形边缘齐，无溶胀现象，光刻的分辨率高，去胶也较容易。 负胶显影后保留区的胶膜是