结构陶瓷和功能陶瓷制备技术.pptxVIP

结构陶瓷和功能陶瓷制备技术 陶瓷的定义 陶瓷材料的定义几经变迁，不断延伸： 传统上： 陶瓷－指陶器和瓷 器的统称。 发展延伸： 陶瓷－凡是经原料配制、坯料成型、窖炉烧成工艺制成的产品。 现代： 陶瓷－所有无机非金属材料，不仅包括多晶体，还包括单晶体。 陶瓷的分类 普通陶瓷：即传统陶瓷(天然硅酸盐矿物)，是指粘土为主要原料与其他天然矿物原料经过粉碎混炼、成型、烧结等过程而制成的各种制品。 特种陶瓷 结构陶瓷：主要用于耐磨损、高强度、耐高温、耐冲击、硬质及高刚性等场合。 功能陶瓷：主要包括电磁功能、光电功能、生物功能、核功能及其他功能陶瓷材料。 根据概念和用途不同，可分为两大类： 不同形状的特种陶瓷结构件 电子绝缘件 氧化锆光学陶瓷导管 高温光学功能陶瓷材料MgAI2O4超微细粉体的制备 250mlH2O 100mlH2O 80℃分别溶解 充分混合 加热 大力搅拌 冷却 凝胶 50℃真空干燥 800℃煅烧 尖晶石粉末 → → → → → → → → → 3g黄原胶 2g刺槐 Mg(NO3)2 0.05mol Al(NO3)2 0.1mol 多糖外凝胶法制备MgA1204粉体的工艺流程图 溶解时黄原胶由有序的双螺旋体结构变为无规线团 黄原胶侧链上的酞基与槐豆胶侧链上的羟基，黄原胶与槐豆胶可以充分绞合在一起 硝酸铝与硝酸镁溶液均匀地包络于多糖形成的凝胶三维网络格子中 氮化硅陶瓷材料 高比强、高比模、耐高温、抗氧化和耐磨损以及抗热震等优良的综合性能. 氮化硅材料还具有相对较低的密度和低的介电常数、介电损耗等优良的介电性能. 氮化硅基多孔陶瓷的力学和介电性能 根据 Bruggeman 等效介质理论，介电常数和孔隙率的关系可以用下式表示 ε0表示孔隙率为 0 时材料的介电常数，ε表示气孔体积分数为 p 时的介电常数，提高气孔率可以有效地降低材料的介电常数。 孔材料的抗弯强度σ与孔隙率ρ 的关系可以用式表示 σ0为材料孔隙率为 0 时的抗弯强度，β 为材料的结构因子对于多孔材料，材料的抗弯强度随着孔隙率的增大呈指数递减。 氮化硅基多孔陶瓷的制备技术 主要包括部分烧结法、挥发物(有机物、碳粉)造孔法、注模成型以及反应烧结法自蔓延烧结法等. 磷酸盐结合氮化硅基多孔陶瓷的制备 利用 ZrO2与 H3PO4在较低温度下 反应生成的 ZrP2O7作为氮化硅 陶瓷的粘结剂，借助于无压烧结 技术在较低的温度烧结。 (a) 所示晶格条纹进行分析，计算其晶面间距并与 PCPDF 卡片进行比对，主要是 α-Si3N4相。 (b) 证明了 Si3N4颗粒表面存在 SiO2-P2O5相，SiO2 促进了反应初始阶段 H3PO4与 Si3N4颗粒之间的结合， 使得 ZrP2O7可以在 250℃反应生成的同时与 Si3N4 颗粒相结合。 (d) (e)ZrP2O7结合 Si3N4多孔陶瓷的烧结过程中，ZrP2O7 的固相烧结(结晶)起到了主要作用。 采用 ZrP2O7作为结合剂，利用无压烧结技术，可以实现在较低烧结温度下制备具有高孔隙率、 高强度、低介电常数且孔隙率与介电常数可控的、以 α-Si3N4为主相的 Si3N4基多孔陶瓷。所制备 的磷酸盐结合氮化硅基多孔陶瓷材料的孔隙率为 30% ~ 50%。孔隙率随 ZrP2O7含量的增大而减小， 因此可以通过调配 ZrP2O7的含量精确控制材料的孔隙率。 THANK YOU