大功率腔内三倍频紫外激光器件及其应用.ppt

大功率腔内三倍频紫外激光器件及其应用.ppt

  1. 1、本文档共30页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
大功率腔内三倍频紫外激光器件及其应用

大功率腔内三倍频紫外 激光器件及其应用 一、 研究背景 激光的各类应用(材料加工占35.2%) 腔内三倍频技术的优点: 有效利用腔内基频光高功率密度实现高效率的非线性频率转换,并且结构简单,成本低,同时由于光学元件的减少,降低了光路调节难度,提高了激光器的便携性,有利于紫外激光器的广泛应用。 二、大功率腔内三倍频紫外激光器 实验研究 采取关键技术: 采用复合腔结构 三、紫外加工系统及其应用 大功率DPL-UV在半导体制造业的应用 已成功用于: 宽带隙半导体材料SiC生产线激光打标 首次应用于LED晶片的大面积表面粗化和刻蚀,光的外部提取效率提高了78% 应用——表面粗化(surface texturing ) 由于III–V族半导体的折射率较高,这就导致LED的发光区域发出的光线在经芯片表面出射到空气中时受制于界面全反射现象,光只有在临界角构成的锥体内才能逸出有源层(GaN为4%)。界面全反射将导致LED的外量子效率非常低。 通过对GaN表面进行粗化处理,形成不规则凹凸,从而减少或者破坏GaN材料与空气界面处的全反射,可以提高LED的光提取效率。模拟显示:最佳的表面粗化结构可使光提取效率提高3倍以上。 基于激光LED大面积 可控表面粗化及刻蚀 应用—— GaN surface texturing 激光粗化前后PL 、 EL比较 激光粗化前后发光强度比较 基于激光技术LED表面粗化应用 1.材料应用范围广; 2 成本低廉; 3 加工速度快; 4.加工面积大; 5.粗化加工图形灵活多样; 6.刻蚀深度可控性高; 7.加工线宽窄,分辨率高; 8.粗化效果好; * 张百涛, 何京良 山东大学晶体材料研究所 2011.7.15 背景 大功率腔内三倍频紫外激光器实验研究 紫外加工系统及其应用 目录 激光 优点:方向性好、单色性好、亮度极高、能量密度高。。。 激光应用 工业 医疗 科研 信息 军事 Laser Focus World 激光应用—激光加工 ①无接触加工,并且高能量激光束的能量及其移动速度均可调。    ②对多种金属、非金属加工,特别是高硬度、高脆性、及高熔点的材料。 ③激光加工过程中无“刀具”磨损,无“切削力”作用于工件。    ④激光加工过程中,激光束能量密度高,加工速度快,并且是局部加工, 对非激光照射部位没有影响或影响极小。 ⑤可以通过透明介质对密闭容器内的工件进行各种加工。    ⑥易于导向、聚集实现作各方向变换,极易与数控系统配合,对复杂工件进行加工。    ⑦生产效率高,质量可靠,经济效益好。 激光加工原理 腔内三倍频355nm紫外激光器 光子个数比:1:1 腔内功率密度: 1064nm>>532nm 高效率的频率转换 HT@1064nm&HR@532nm HT@1064&532nm HR@355nm HR@1064&532nm HT@355nm 腔内三倍频355nm紫外激光器实验研究 HR@532nm HT@1064nm HR@355nm HT@1064&532nm SHG- crystal 实验装置图 355nm UV平均输出功率随泵浦功率的变化 355nm UV平均输出功率随泵浦功率的变化 实验结果 Baitao Zhang et al. Opt. Commun. 283, 2369-2372 (2010) 实验得到的最窄的脉冲宽度图 355nm平均输出功率和脉宽随泵浦功率的变化 实验结果 τ=50ns 在最高输出功率下得到的355nm 光束二维和三维的能量分布图 输出功率为6.3W时激光器工作 2小时的功率稳定性:1% 远场发散角M2<10 实验结果 大功率355nm紫外加工系统设计 设计原理图 大功率355nm紫外加工系统 打标卡:PMC2 振镜:Scanlab SCANgine 10 大功率355nm紫外加工系统 技术指标: 波长:355nm 功率:5W 重复频率:1-40kHz 脉宽:50ns 最大峰值功率:18kW 模式:TEM00 达标范围:120×120mm2 SiC 晶片激光打标参数 线状 可调 21.6 56~58 ICM-UV-I (山大) 线状 1.6×1.2 13 38~40 Π-VI(美国) 线状 0.9×0.5 21 40 OSRAM(德国) 点状 1.6×0.8 15 50~54 CREE (美国) 备注 字符大小 H×W mm 标刻深度 (μm) 标刻宽度 (μm) 紫外加工系统应用——打标 加工速度为3cm2/s,整片2英寸GaN基正装LED外延片加工需15-20秒。 应用——表面粗化(surface texturing ) (a–c) SEM

您可能关注的文档

文档评论(0)

zhuwenmeijiale + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:7065136142000003

1亿VIP精品文档

相关文档