PSS簡介.ppt

DPSS SEM 量產能力: Pitch ≥ 3 um，深度0.8~ 1.8 um 1.5um 3.5um 1.2um 3.5um With-platform Without-platform * WPSS SEM 1.2um 1.5um 1.0um 3.2um 3.5um With-platform Without-platform 量產能力: Pitch ≥ 3 um，深度0.8~ 2.0 um * NPSS 奈米圖案化藍寶石基板 ( Nanorod Patterned Sapphire Substrate ； NPSS) * NRSS 奈米圖案化藍寶石基板 ( Nano random Patterned Sapphire Substrate ； NRSS) * Thanks for your kind attention! * * * * * Patterned Sapphire Substrate Overview Outline LED簡介 何謂藍寶石 藍寶石單晶長晶技術 藍寶石晶圓精密加工技術 藍寶石微奈米圖案化技術 * LED Trend * Sapphire substrate LED Structure * LED Advantage (1)體積小:可用於陣列封裝之照明使用，且可視其應用條件做不同顏色種類的搭配組合 (2)壽命長:其發光壽命可達1萬小時以上，比一般傳統鎢絲燈泡高出50倍以上 (3)耐用:由於發光二極體是以透明光學樹脂作為其封裝，因此可耐震與耐衝擊 (4)環保:由於其內部結構不含水銀，因此沒有污染及廢棄物處理問題 (5)省能源與低耗電量:白光發光二極體為「綠色照明光源」的明日之星，因其耗電量約是一般鎢絲燈泡的1/3~1/5 LED: Light Emitting Diode 發光二極體 * Principle LED發光原理:所謂的載子（carrier）載子分成兩類，一類為電子，帶負電(N)，另一類為電洞，帶正電(P)。這兩種載子在某些條件下可以結合而產生光子，此為發光的基本原理 藍光LED結構 或 * 空乏區 * High Brightness LED Material Light Extraction Package Thermal ?External = ?Int ? ?Extr ? ?Package Threading dislocation (1x109 ~ 1x1012cm-2) * Determining Brightness of LEDs * Appl. Phys. Lett. 77, 3233 (2000) Journal. Jap. Appl. Phys. Lett. 41, L1431 (2002) Enhance IQE (Reduce threading dislocation) Improve LEE PSS Advantage * IQE改善 IQE ( Internal Quantum Efficiency) * 1. 15% lattice mismatch ? dislocation density ~1010 cm-2 2. 80% difference in thermal expansion Coefficient Material Lattice Parameter (?) Thermal expansion Coefficient(K-1) GaN a=3.189 c=5.185 5.59X10-6 3.17X10-6 Sapphire a=4.758 c=12.991 7.5X10-6 8.5X10-6 dislocation GaN Sapphire sapphire dislocation Conventional sapphire substrate sapphire Platform-PSS sapphire Pyramid-PSS LEE改善 LEE ( Light Extraction Efficiency) * n1 n2 Air (n=1) GaN (n=2.5) θc = 23? θ1 θ2 n1 n2 Snell’s law n1sinθ1 = n2sinθ2 nGaN = 2.5, nAir = 1 → θC = sin-1(nAir/nGaN) ~ 23° 藍寶石微奈米圖案化技術 圖形化藍寶石基板 圖形化藍寶石基板簡稱”PSS” (Patterned Sapphire Substrate) * Polish Wafer PSS Wafer PSS 種類與製作方式 PSS依製作方式可分為兩類 Dry PSS Wet PSS * Photo lithograp