数字电路 ROM和RAM.pptVIP

第七章 RAMROM * * 8.1 只读存储器（ROM） 半导体存储器概念： 用于存储二进制形式数据逻辑单元 2.存取速度 重要指标 分类 1.存储量：字数 N × 位数 M 如1K容量通常指 1024 × 8 bit *高速RAM的存取时间仅10ns左右 按存取方式分类： 串行存储器(SAM): Sequential Access Memory 只读存储器(ROM): Read Only Memory 随机存储器(RAM): Random Access Memory FIFO型 例：前述的单向移位寄存器 FILO型 例：前述的双向移位寄存器 一. ROM的分类： 1.按存储内容写入方式来分： 固定ROM(MROM) 可擦可编程ROM(EPROM) 可编程ROM(PROM） UVEPROM E2PROM FLASH MEMORY 2.按使用器件类型来分 二极管ROM MOS型三极管ROM 双极型三极管ROM 二.ROM的结构 ： 地址译码器、存储单元矩阵、输出电路 4×4ROM的结构框图 二进制译码器，译出全部的最小项→字线 每一字线再选择一组数据输出，一位数据对应一条位线 三.ROM的工作原理 4×4 位二极管ROM 地址输入与输出状态对应关系 1 0 1 1 W3 (m3) 1 1 1 0 1 0 W2 (m2) 0 1 0 1 1 1 W1 (m1) 1 0 0 1 0 1 W0 (m0) 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 ROM输出 选中字线 地址输入 逻辑关系相当于逻辑电路： 译码器部分的输出变量和输入变量（包括原变量和反变量）构成“与”的关系，译出所有的最小项（字线）。 存储矩阵和输出电路部分的输出变量和存储矩阵的输入变量构成“或”的关系。 进行ROM电路的分析和设计，为了简化，常用阵列图（点阵图）来表示 “圆点”代表输入、输出间应具有的逻辑关系（“与”或者“或”） 在存储矩阵中，表示交叉处有二极管。 与阵列 或阵列 全地址译码，同一字线 上的点表示对应的变量 相与→与阵列 同一位线上的点表示对应字线变量相或→或阵列 四、ROM的应用 1.实现组合逻辑函数 例试用ROM实现如下组合逻辑函数。 首先应将以上两个逻辑函数化成由最小项 组成的标准“与-或”式,即 解: 采用有3位地址码、2位数据输出的8字节×2 位ROM。将A、B、C 3个变量分别接至地址 输入端A2A1A0。按逻辑函数要求存入相应数 据,即可在数据输出端D0、D1得到F1和F2,其 ROM 阵列如图所示 1 1 1 (D1) (D0) F2 F1 A B C 例1ROM 阵列 例2 试用ROM设计一个8421 BCD码7段显示译码器电路（共阳极数码管） 解：由真值表可见，应取用输入地址为4位，输 出数据为7位的16 字节×7位ROM。 可根据真值表直接画出ROM的阵列图，而 不需要列出逻辑式。 9 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 8 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 7 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 6 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 5 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 4 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 3 0 1 1 0 0 0 0 1 1 0 0 2 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 显示 g f e d c b a Q0 Q1 Q2 Q3 表 :8421BCD码7段显示译码器电路的真值表 例2 ROM阵列 与 阵列 译码器 a b c d e f g （Q0） （Q1） （Q2） （Q3） A0 A1 A2 A3 2.字符发生器 地址译码器 D0 A2 A1 A0 输出缓冲器 D1 D2 D3 D4 ROM显示矩阵结构图 8.2 随机存储器(RAM) 根据存储单元的工作原理，可分 SRAM （Static Random Access Memory） DRAM （Dynamic Random Access Memory ） 一、静态RAM(SRAM) 靠触发器的自保功能存储数据，一旦电源断开，所存信息丢失。 X0 X1 X2 X3 X31 X30 Y0 Y1 Y7 列 译 码 器 行 译 码 器 A5 A6 A7 A0 A1 A2 A3 A4 R/W控制电路 读/写R/W 片选CS I/O RAM结构示意图 *