TDD-LTE高增益双极化智能天线技术说明书1880～19202010～2025.PDFVIP

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2017-12-25 发布于天津
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TDD-LTE高增益双极化智能天线技术说明书1880～19202010～2025.PDF

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TDD-LTE高增益双极化智能天线技术说明书1880～19202010～2025.PDF

® 多频板状（MHz） 1880～1920 2010～2025 2555～2635 双极化 X 广东健博通科技股份有限公司半功率波瓣宽度 65° 固定电下倾角 0° TDD-LTE 高增益双极化智能天线技术说明书 1880～1920/2010～2025/2555～2635MHz 100/90/65°18dBi 0°电下倾角电气指标 KDA4-1826D18BT0 频率范围(MHz) 1880～1920 2010～2025 2555～2635 极化方式 ±45° 电下倾角（°) 0 下倾角精度（°) ±1 各单元端口以及校准端口驻波比 ≤1.5 同极化单元端口之间隔离度(dB) ≥20 异极化单元端口之间隔离度(dB) ≥25 校准端口至各单元端口耦合度(dB) -26±2 校准端口至各单元端口最大幅度偏差(dB) ≤0.7 校准端口至各单元端口最大相位偏差(°) ≤5 水平面半功率波瓣宽度(°) 100±15 90±15 65±15 单元增益(dBi) ≥16.5 ≥17.5 ≥18.5 波束交叉极化比(dB) 轴向：≥18，±60°范围内≥10 前后比(dB) ≥23 ≥25 水平面半功率波瓣宽度(°) 65±5 垂直面半功率波瓣宽度(°) ≥4 ≥3 增益(dBi) ≥16.5 ≥17.5 ≥18.5 广播波束±60°边缘功率下降(dB) 12±2 波束交叉极化比(dB) 轴向：≥22，±60°范围内≥10 前后比(dB) ≥28 第一上旁瓣抑制(dB) ≤-16 第一下零点填充(dB) ≥-18 0°波束增益(dBi) ≥22.5 ≥23.5 ≥24.5 0°波束水平面