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含氧酸根及4-消基苯酚在氧化钨聚苯胺修饰电极上的电催化还原
2011 年第69 卷 化 学 学 报 Vol. 69, 2011
第13 期, 1575～1581 ACTA CHIMICA SINICA No. 13, 1575～1581
·研究论文·
含氧酸根及 4-硝基苯酚在氧化钨/聚苯胺修饰电极上的电催化还原
邹本雪a,b 边立君a 王 岩b 李欣洁a 刘晓霞*,a
(a 东北大学化学系中国-爱尔兰功能材料与传感器研究中心 沈阳 110819)
(b 辽东学院化学工程系 丹东 118000)
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摘要 采用循环伏安(CV)、方波脉冲伏安(SWV)和计时电流(CA)技术研究了含氧酸根离子BrO3 , ClO3 , NO－和 4-
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硝基苯酚(4-NP)在WO /PANI 修饰电极上的电催化还原. 实验结果表明, WO /PANI 对BrO , ClO , NO－以及4-NP
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电化学还原都具有良好的催化活性. 恒电位时, WO /PANI 对相应底物有快速的电流响应, 在40 µmol/L～1.2 mmol/L
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( BrO3 ), 0.12～20 mmol/L ( ClO3 ), 40 µmol/L～2.50 mmol/L ( NO－), 50～400 µmol/L (4-NP)浓度范围内, 响应电流与
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底物浓度呈线性关系, 检测灵敏度及检测限(S/N ＝3)分别为0.202 µA/(µmol/L), 4.8 µmol/L ( BrO－); 0.035 µA/(µmol/L),
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