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§1-2．半导体二极管 1.2.1 PN结与电力二极管 二. 　单相全波整流电路 1.4.4 电力二极管的主要类型 由此可得 为保证管子安全工作,应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ ≤ ≥ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ IZ = I－IO 由式 此时当IO为最大值IO(max)时，IZ值最小。 当UI为最大值UI(min)时，I值最小； 知 由此可得 为保证电路正常工作，应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ ≥ ≤ 得 由式 及 ≥ ≤ ≤ ≤ 例1：稳压二极管的应用 RL ui uO R DZ i iz iL UZ 稳压二极管技术数据为：稳压值UZ=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k?，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 ?，求iZ。 若负载电阻变化范围为1.5 k? -- 4 k? ，是否还能稳压？ RL ui uO R DZ i iz iL UZ UZ=10V ui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA） i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5 （mA） RL=1.5 k? , iL=10/1.5=6.7（mA）, iZ =10-6.7=3.3（mA） RL=4 k? , iL=10/4=2.5（mA）, iZ =10-2.5=7.5（mA） 负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用 例2：稳压二极管的应用 解： ui和uo的波形如图所示 （UZ＝3V） ui uO DZ R (a) (b) ui uO R DZ 一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 1. 符号和特性 工作条件：正向偏置 一般工作电流几 mA， 导通电压 (1 ? 2) V 符号 u /V i /mA O 2 特性 1.4.2其它类型的二极管　 发光类型： 可见光：红、黄、绿 显示类型： 普通 LED ， 不可见光：红外光 点阵 LED 七段 LED , 二、光电二极管 符号和特性 符号 特性 u i O E = 200 lx E = 400 lx 工作原理： 三、变容二极管 四、隧道二极管 五、肖特基二极管 无光照时，与普通二极管一样。 有光照时，分布在第三、四象限。 低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流大 . 优点是开关特性好，速度快、工作频率高 1.4.2 变容二极管 　　当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量　　将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 电容效应包括两部分 势垒电容 扩散电容 1.扩散电容 Cd (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 1. 扩散电容 Cd ? Q 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。 x = 0 处为 P 与 耗尽层的交界处 当电压加大，np (或 pn)会升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 O x nP Q 1 2 ? Q 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 ? Q 　　正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 图 1.1.12 P N PN 结 1.4.2 变容二极管 1. PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD 非平衡少子的积累 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . △U变化时，P区积累的非平衡少子浓度分布图 ΔU0 3 ΔU=0 ΔU0 2 1 x 电子浓度 3 2 1 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 这种电容效应用扩散电容CD表征。 PN结正向偏置电压越高，非平衡少子的积累越多。 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .