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晶体管临界饱和时的基极电流 返回目录 当 时， 晶体管处于饱和状态。（其他方法？） 当 时， 晶体管处于放大状态 返回目录 练习： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时， 晶体管静态工作在哪个区？ IC UCE IB UCC RB UBB C B E RC UBE 练习： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时，晶体管静态工作在哪个区？ 解：当UBB =-2V时： IC UCE IB UCC RB UBB C B E RC UBE 发射结反偏 晶体管工作在截止区。 UBB=2V,5V时，发射结正偏，是放大还是饱和？ ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时， IB IBS， 位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE UBB =2V时： IC最大饱和电流： UBB =5V时: ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时， IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE 其他方法？ IBS IB， 位于饱和区。 结型场效应管JFET (Junction type Field Effect Transistor) 绝缘栅型场效应管MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) 场效应管有两种: 四、场效应晶体管(教材P18) 场效应管与双极型晶体管不同，它是一种电压控制型半导体器件，输入电阻高，温度稳定性好，抗辐射能力强，耗电省。目前已广泛应用于各种电子电路中。 绝缘栅型场效应管MOSFET (Metal-oxide-semiconductor) N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 MOS绝缘栅场效应管（N沟道） （1） 结构 P N N G S D 杂质浓度较低的P型基底 两个杂质浓度很高的N区 SiO2绝缘层 金属铝 N 沟道耗尽型 P N+ N+ G S D 栅源极间不加电压就已存在原始N型导电沟道 G S D S:源极（Source) D:漏极（Drain) G:栅极（Gate) P N N G S D 栅源极间加正向电压才形成导电沟道 G S D N沟道增强型 （本身无导电沟道） N沟道增强型 （2）符号 N沟道耗尽型 G S D G S D P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 形成原始的P型导电沟道 N P P G S D G S D P 沟道增强型 电子技术 电气与信息工程学院 小班研讨课安排1、讨论 和本门课程有关以及同学们感兴趣的内容进行讨论，欢迎同学们献计献策，踊跃参加；2、习题 课堂练习，作业讲评。 请大家以后每次上小班课时都带好作业本。 （个人进行简短自我介绍） 第1章半导体器件 1.1 PN结 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 双极型三极管 1.5 场效应晶体管 半导体二极管和晶体管是常用的半导体器件。它们的基本结构、工作原理、特性曲线和主要参数是学习电子技术和分析电子电路的基础。 而PN结又是构成各种半导体器件的基础。 因此，本章主要知识点： 1）半导体的导电特性； 2）PN结的形成及其导电特性； 3）半导体二极管的工作原理及其特性曲线、主要参数及应用； 4）特殊二极管； 5）晶体管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。 本章小课补充内容： 场效应晶体管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数 学习的重点是半导体器件的工作原理、特性曲线、主要参数及其应用。 一、半导体二极管 二极管的特性：单向导电性 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降 ?0.7V(硅二极管0.7V) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 二极管的直流参数： 最大整流电流： 管子长期运行时允许通过的最大正向平均电流 反向击穿电压：管子反向击穿时的电压 反向电流：管子未击穿时的反向电流 补充介绍二极管的两个交流参数。 （1）. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 （2）. 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒