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硅片级可靠性测试(转） 赵 毅，徐向明 （上海华虹NEC 电子有限公司，上海 201206） 摘要：介绍了硅片级可靠性之所以成为现在半导体工艺研发重要组成部分的原因。对硅片级可靠性所涉及的各个项目作了详细的介绍。同时，对各个项目的测试和评价方法也做了详细的分析。最后，对硅片级可靠性测试的发展方向做了分析。 关键词：硅片级；可靠性；测试 中图分类号： TN304 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2004)11-0005-03 Wafer Level Reliability Test ZHAO Yi，XU Xiang-ming (Shanghai HuaHong NEC Electronics Co., Ltd., Shanghai 201206,China) Abstract: The importance of wafer level reliability (WLR) testing for the RD of semiconductor process is introduced. A brief review of items and development of WLR was provided; also the future development of WLR was analyzed. Key words: wafer Level；reliability；test 1 引言 硅片级可靠性（WLR）测试最早是为了实现内建（BIR）可靠性而提出的一种测试手段[1]。硅片级可靠性测试的最本质的特征就是它的快速，因此，近年来它被越来越多的于工艺开发阶段。工艺工程师在调节了工艺后，可以马上利用WLR测试的反馈结果，实时地了解工艺调节后对可靠性的影响。这样就把可靠性测试糅合和工艺开发的整个过程当中。如今，工艺更新换代非常快，所以，WLR就成为了一种非常有效快速的方法使工艺开发的进程大大加快。同时，各个公司在工艺开发后都会发行一个针对WLR的技术报告，这也为业界广泛接受。JEDEC也为此专门制定了一个标准[2]，而且不定时的更新其内容。WLR要测试的项目主要有以下几大类：互连线可靠性（电迁移）；氧化膜可靠性；热载流子及NBTI；等离子损伤（天线效应）等。 用于工艺开发的WLR的流程主要如下。首先，制定一个WLR计划，包括对测试样品的要求（样品数、测试面积、Lot数等），一些设计规则和所有达到的规范。比如说电迁移中，要给出最大设计电流，器件使用温度等，评价氧化膜的可靠性时，如果是用斜坡电压法则要求测试面积大于10cm2，缺陷密度不能大于一定的值（D0），如果是用恒定电压法，则要给出加在栅极上的电压分别有多大等等。在评价热载流子效应时，一般要求热载流子中寿命直流寿命大于0.2年等[2]。下面详细介绍一下各个项目。 2互连线可靠性（电迁移） 电迁移（EM）是微电子器件中主要的失效机理之一，电迁移造成金属化的开路和短路，使器件漏电流增加。在器件向亚微米、深亚微米发展后，金属化的宽度不断减小，电流密度不断增加，更易于因电迁移而失效。因此，随着工艺的进步，EM的评价备受重视[3]。 　导致电迁移的直接原因是金属原子的移动。当互连引线中通过大电流时，静电场力驱动电子由阴极向阳极运动，高速运动的电子与金属原子发生能量交换，原子受到猛烈的电子冲击力，这就是所谓的电子风力。但是，事实上金属原子同时还收到反方向的静电场力。当互连线中的电流密度较高时，向阳极运动的大量电子碰撞原子，使得金属原子受到的电子风力大于静电场力。因此，金属原子受到电子风力的驱动，使其从阴极向阳极定向扩散，从而发生电迁移[4]。 传统的评价电迁移的方法是封装法。对样品进行封装后，置于高温炉中，并在样品中通过一定电流，监控样品电阻的变化。当样品的电阻变化到一定比例后，就认为其发生电迁移而失效，这期间经过的时间就为在该加速条件下的电迁移寿命。但是封装法的缺点是显而易见的，首先封装就要花费很长的时间，同时，用这种方法时通过金属线的电流非常小，测试非常花费时间，一般要好几周。因为在用封装法时，炉子的温度被默认为就是金属线温度，如果有很大的电流通过金属线会使其产生很大的焦耳热，使金属线自身的温度高于炉子的温度，而不能确定金属线温度。所以，后来发展了自加热法（ISO-thermal）[5]。该方法不用封装，可以真正在硅片级测试。它是利用了金属线自身的焦耳热使其升高。然后用电阻温度系数（temperature coefficient of resistance, TCR）确定金属线的温度。在实际操作中，可以调节通过金属线的电流来调节它的温度。实际应用表明，这种方法对于金属线的电迁移评价非常有效，但是对于通孔的电迁移评价，该方法就不适用了。因为，过大的电流会导致通孔和金