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器件损耗计算 开关器件损耗计算 图1 PFC-BOOST原理图 输入电压；输入电流；输出电压 IGBT损耗 1.1.1 IGBT导通损耗 IGBT占空比 其中 IGBT导通压降，工程处理上根据datasheet上的特性曲线拟合出导通压降uCE(t)关于iC(t)的函数式 常以一次函数式表示 IGBT导通损耗 1.1.2 IGBT开关损耗 IGBT开关损耗 其中，Eon和Eoff为IGBT的datasheet上给出Utest和Itest条件下测试得到的开通和关断损耗，nIGBT为桥臂上并联的IGBT数目。 1.1.3 IGBT输出电容充放电损耗 输出电容Coss，IGBT关断电压Vds_off（如何得到？测量？） IGBT输出电容充放电损耗 二极管损耗 1.2.1 二极管导通损耗 二极管占空比 二极管导通压降，工程上处理根据datasheet上特性曲线拟合出导通压降uT(t)关于iT(t)的函数式 常用一次函数式表示 二极管导通损耗 1.2.2 二极管开关损耗 二极管开通损耗 其中，Erec为Utest和Itest测试条件下测试得到的开通损耗；ndiode为并联的二极管数目。 SCR损耗 总结 开关管功耗 = 导通功耗 + 开关功耗 导通功耗计算常采用积分法 因此，求取导通损耗的主要任务为求取三个主要参数：u(t)，i(t)，D(t) 开关损耗计算常采用平均法 其中，u(t)、Eon、Eoff根据datasheet得到。 磁芯损耗计算 线圈损耗 线圈设计需要考虑趋肤效应，趋肤深度 式中 u——导线材料的磁导率； ——材料的电导率； k——材料电导率（或电阻率）温度系数。 导线直径需要＞2△。 交流电阻与直流电阻之比为实际电流流过面积的反比 电阻好需要考虑温度 磁芯损耗 磁芯损耗 式中 PFe——单位体积磁芯损耗 磁芯datasheet上会给出磁损公式 可以根据datasheet上的磁损曲线求得磁损关于Bmax的函数式。那么求取磁芯损耗的主要任务就是求取磁场强度最大值Bmax。 电感 电感磁链表达式 L为工作实际计算的电感 变压器 双向磁化 单向磁化