掺锰硅材料的电流振荡特性journalofsemiconductors.pdfVIP

第 27 卷 　第 9 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 9 2006 年 9 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Sep . ,2006 掺锰硅材料的电流振荡特性 1 , 1 1 1 2 2 陈朝阳 　巴维真 　张 　建 　丛秀云 　B a k h a dyr k h a n ov M K 　Zi k rill a ev N F ( 1 中国科学院新疆理化技术研究所 , 乌鲁木齐 　8300 11) (2 乌兹别克斯坦国立技术大学, 塔什干 　700095) ( ) 摘要 : 用高温扩散方法制备出补偿 Si ∶B , M n 材料 , 并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关 ( ) 4 Ω ·c m 的材料在液氮温度下显示出电流振 系. 结果表明:在一定光照和电场范围内 276～305V / cm , 电阻率为 10 荡特性; 在一定的电场下 , 电流振荡波形是固定的, 不随时间变化; 振荡频率随光照强度的增大而线性增大; 调制系 数随着光强的增强而减弱; 振荡的最大值随着光照强度增大而减小 , 最小值随着光强增大而缓慢增大. 关键词 : 硅; 掺杂; 补偿; 电流振荡 PACC : 7300 ; 7280 ; 8120C 中图分类号 : TN 304 1+ 2 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 为 5mm ×3mm ×1mm . ( ) 1 　引言 Si ∶B ,Mn 样品中的振荡是在液氮温度下用 外加直流电压的方法进行的. 测试电路如图 1 所示. 近年来 , 我们在单晶硅材料中扩散掺杂不同的 样品和一个 1000Ω 电阻 R 串联在 电路 中 , U 为 杂质 , 得到了常温下的热敏材料[ 1～5 ] , 但是对这种材 500V 直流电源 ,用示波器检测电阻 R 上电压振荡 料在 低 温 下 的特 性 研 究 却 涉 及 不 多. B a k h a 波形 ,用电压表 V 实时监测电阻 R 上的电压变化 , di r k h a n ov 等人[ 6～8 ] 对单晶硅进行了高温扩散掺杂 , Keit hley 6 19 静电计测量电阻 R 两端 电压 ,经 IEE 在得到的材料中发现了电流振荡现象, 即在一定的 488 接口与微机相连 , 由自编的控制采集程序对测 条件下 ,材料在直流电路中产生电流周期性变化的 量的电压数据进行采集. 数据经过处理后 ,得到电路 现象, 这一现象在开发新型的振荡器方面有潜在的 中电流随时间变化的波形 ,即振荡电流波形. 选择足 应用前景.