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教学课件PPT逻辑门电路
3.1 MOS逻辑门电路 九、NMOS逻辑门电路 三、TTL反相器的基本电路 1、TTL反相器的工作原理 ③采用输入级以提高工作速度 ④采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力 2、TTL反相器的传输特性 四、TTL逻辑门电路 五、集电极开路门和三态门 *3.3 射极耦合逻辑门电路 *3.4 砷化镓逻辑门电路 3.5 逻辑描述中的几个问题 3.6 逻辑门电路使用中的几个问题 第二章 小结 2、TTL门驱动CMOS门 VDD T1 T2 Vcc R1 R2 D R3 T1 T2 T3 RP 用TTL驱动CMOS-HCT时,由于电压参数兼容,不需外加接口电路,在数字电路设计中,常被用作接口器件。 上拉电阻RP接VDD,将TTL电路的输出高电平提高到能与CMOS电路兼容的水平。 3、低电压CMOS电路及接口 二、门电路带负载时的接口电路 1、用门电路直接驱动显示器件 (1/6)74HC04 LED R 1 输入 LED R 1 输入 Vcc D F OH I V V R - = D F CC I V V R - = OL V - ID,VF为LED的额定电流和正向压降 2、机电性负载接口 (1/6)74HC04 1 1 输入 信号 50? 50? 继电器 将两个反相器并联作为驱动电路 三、抗干扰问题 1、多余输入端的处理措施 为防止干扰,一般不让多余输入端悬空,对多余输入端的处理以不改变电路工作状态及稳定可靠为原则。 与类门的多余输入端接电源正端 或类门的多余输入端接地 CMOS门 多余输入端接地 TTL“或”类门 利用反相器将其输入端接地,其输出的高电位接多余输入端 通过上拉电阻接电源正端 TTL“与”类门 处理方法 门的类型 与工作端并接 2、去耦合滤波器 用10?100?F的大电容与直流电源并联以滤除不必要的频率成分,并且对每一集成芯片加接0.1?F的电容器以滤除开关噪声。 3、接地和安装工艺 将电源地与信号地分开,先将信号地汇集在一点,然后将二者用最短的导线连在一起,以避免含有多种脉冲波形的大电流引到某数字器件的输入端而导致系统正常的逻辑功能失常。 当系统兼有模拟和数字两种器件时,需将两者的地分开,然后选用一个合适的共同点接地,以免除两者的相互影响。 4、印刷电路的安装和设计 要注意连线尽可能短,以减少接线电容而导致寄生反馈有可能引起寄生振荡。 CMOS器件在使用和储存过程中要注意静电感应导致损伤的问题,可以采用静电屏蔽加以 防护。 5、CMOS器件的存储问题 一、二极管和BJT的开关特性 影响它们的开关速度的主要因素是器件内 部的电荷存储和消散的时间。 二、利用二极管和BJT可以构成简单的二极 管与门、或门电路和BJT反相器。 三、TTL反相器的输入级由BJT构成,具有饱和、 截止、放大和倒置放大等4种模式。采用推 拉式的输出级,输出阻抗低、带负载能力 强。输入和输出级均有利于提高开关速度。 将TTL反相器的输入BJT改为多发射极结构便 可以构成与非门电路。 四、利用肖特基二极管可以组成抗饱和TTL电 路,在驱动级加入有源下拉电路后可以提 高工作速度。 五、在TTL逻辑门电路中,为了实现线与的逻 辑功能,可以采用或非门、集电极开路门 和三态门来实现。 六、ECL逻辑门电路是以差分放大电路为基础 的,因为它不工作到BJT的饱和区,所以它 的开关速度是最高的。 七、CMOS门电路是由互补的增强型N沟道和P沟道 MOSFET构成,与TTL电路相比,其功耗低, 扇出数大,噪声容限大,开关速度与TTL相 近,有取代TTL的趋势。 八、BIMOS是取MOS和TTL两者的优势,其开关 速度较高,功耗较低。 九、NMOS逻辑门电路结构简单,易于集成化, 在大规模集成电路中应用较多。 十、在逻辑体制中有正、负逻辑的规定,同样 的一个逻辑电路,利用正、负逻辑等效变换 原则,可以达到灵活运用的目的。 十一、在实用中要注意不同类型门电路之间、门 电路与负载之间的接口技术问题及抗干扰 工艺问题。 Rc Rb T Vcc VI iB (2)饱和工作状态 饱和条件:发射结和集电结均正偏 ics ? Vcc/Rc ; VcEs ? 0.2~0.3V CE间近似于短路,相当于开关闭合。 C Vcc/Rc Vcc VcEs 0 IBS Ics 饱和特点: iB iBS , ic = ics ,VcE =VcEs NPN型硅BJT三种工作状态的特点 很小,约数百欧,相当于
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