洁净工程纯水制备机理教学PPT.ppt

在清洗过程中许多清洗都要用到水，随着高新技术的发展，对清洗所有的水要求越来越高，最具有代表性的是微电子器件制备中对水的要求不断升级换代。 20年来集成电路制造技术，从5μm经历12代发展到当前的0.045μm技术。0.09μm技术投入生产的时间在2005年。随着整个制造技术水平向0.032μm逼近，人类加工能力即将进入一个空前的高度。整个微电子领域的前沿热点从制造技术、物理器件、工艺物理到材料技术等方面随之全面进入100nm以下的纳米领域，微电子技术在高速发展的同时也面临巨大的技术挑战，现代微电子技术的迅猛发展，使该行业对水的纯度要求越来越高。 现代微电子技术的迅猛发展，使该行业对水的纯度要求越来越高 第一节 天然水中的杂质 一.天然水中通常含有五种杂质: 1. 在天然水、自来水或蒸馏水中都含有大量的杂质离子： 2.有机物质,如:有机酸、农药、烃类、醇类和酯类等; 3.颗粒物; 4.微生物; 5.溶解气体，包括：N2、O2、Cl2、H2S、CO、CO2、CH4等; 所谓水的纯化，就是要去掉这些杂质。杂质去的越彻底，水质也就越纯净。 二.水的分类 (一）水的纯度 水的纯度常以水中含盐量或水的电导率来衡量。 水的电阻率与它的电导率互为倒数。 电导率k=k1+k2+k3…+ki…=∑λiCi 电阻率ρ=1/k λi：i离子浓度为零的极限摩尔电导率 Ci：i离子的摩尔浓度 当杂质浓度为零时，亦即水的理论电阻率 ρ=18.25MΩ.cm （二）水的纯度分类 纯水 自来水经沙滤器除去难溶于水的杂质，再经活性炭吸附除去有机物，最后经离子交换柱进行离子交换，可除去水中的强电解质，同时可除去大部分硅酸及碳酸等弱电解质。 通常，半导体工艺清洗用的纯水，25℃时电阻率须在5兆欧·厘米(即5 × 106 Ω.cm)以上。 纯水在化学清洗中的作用： 溶除杂质 用各种有机溶剂和酸清洗硅片，但是这些试剂也不是纯的，它们对被清洗的硅片也有沾污作用。由于目前纯水的纯度是最高的，因此最后一道清洗通常是用纯水冲洗。一般说来温度越高，物质的溶解度越大，因此热纯水的清洗效果更好些，所以必要时可用热纯水冲洗。 一般在一定纯水用量条件下，冲洗次数越多，每次清洗后剩余液的量越少，清洗的效果也越好。但是事物总是一分为二的，在清洗过程中每次冲洗后，保持一定的剩余液是必要的，使硅片表面不致暴露在空气中而受氧化和沾污。 三、高纯水中的杂质对半导体材料和器件性能的影响 1、有机污染 有机物沾污是指那些包含炭的物质，几乎总是同炭自身及氢结合在一起，有时也和其他元素结合在一起。有机物沾污的一些来源包括细菌、润滑剂、蒸汽、清洁剂、溶剂和潮气等。水中的各种有机物、微生物及细菌都是有机污染源，当粘附在硅片上，经高温处理绝大部分分解，其中的C与Si可以形成SiC或游离C，这些C直接影响器件的电性能，使器件性能下降。 在特定工艺条件下，微量有机物沾污能降低栅氧化层材料的致密性。工艺过程中有机材料给半导体表面带来的另一问题是表面的清洗不彻底，这种情况使得诸如金属杂质之类的沾污在清洗之后仍完整保留在硅片表面。 2、无机污染 ①原子污染 主要指重金属原子，它们在硅中形成复合中心，使少数载流子的寿命缩短，形成位错、层错等，改变硅外延层的结晶结构，使器件性能下降，造成废品。 ②离子污染 主要指碱金属和碱土金属离子，尤以Na+危害最大， Na+的扩散速度最快，可以使SiO2击穿强度下降，造成漏电或改变器件的电特性。 ③颗粒污染 它们粘附在硅片表面，经过高温后分解，一部分扩散进入硅片内部，一部分残留在表面，不仅改变了P-N结的电特性，而且使光刻图形变形，引起短路、短路等后果。 四．水的纯化方法 1.蒸馏法，按蒸馏器皿可分为玻璃、石英蒸馏器，金属材质的有铜、不锈钢和白金蒸馏器等。按蒸馏次数可分为一次、二次和多次蒸馏法。此外，为了去掉一些特出的杂质，还需采取一些特殊的措施。例如预先加入一些高锰酸钾可除去易氧化物；加入少许磷酸可除去三价铁；加入少许不挥发酸可制取无氨水等。蒸馏水可以满足普通分析实验室的用水要求。由于很难排除二氧化碳的溶入。所以水的电阻率是很低的，达不到MΩ级。不能满足许多新技术的需要。 2.离子交换法 　　它是利用离子交换剂，把水中的离子与离子交换剂中可扩散的离子进行交换作用，使水得到软化的方法。饮料用水大都采用有机合成离子交换树脂作离子交换剂。 在处理水时，先让水从阳