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《光电子》复习资料 by.光 2 客服 知识点总结部分 1、晶体结构相关名词解释 晶态：原子周期排列、长程有序(微米量级) 非晶态：原子排列短程有序、长程无序 原胞：体积最小的重复单元 晶胞：结晶学上所取的重复单元 布拉菲点阵：晶体内部结构可以看成是由一些相同的点子在空间作规则的周期性的无限分布。 这些点子的总体称为布拉菲点阵 晶列：通过任意两格点作一直线，这一直线称之为晶列 晶面指数：任一晶面族的面指数，可由晶面族中任一晶面在基矢坐标轴上截距的系数的倒数 来表示。面指数可正可负，晶面与基矢坐标轴正方向相截为正，反之为负。 倒格子：倒格基矢平移形成的格子 2、金刚石结构：每个原子周围有四个最邻近的原子，这四个原子处于正四面体的顶角上， 任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有，并形成稳定的共价键 结构。金刚石晶体是面心立方结构。 3、闪锌矿结构：与金刚石结构类似。但共价键具有一定的极性（两类原子的电负性不同）， 因此晶体不同晶面的性质不同。不同双原子复式晶格。 4、能带理论相关名词解释： 电子共有化运动：晶体中的电子不再束缚于个别原子，而在一个具有晶格周期性的势场中作 共有化运动。 布洛赫定理：对于周期性势场。单电子薛定谔方程的本征函数是按布拉维格子周期性调幅的 平面波。 布里渊区：面波矢空间划分为一系列的区域称为布里渊区。 能带：由于共有化运动原来单个原子中每个能级分裂成 N 个与原来能级很相邻的新能级，准 连续，称之为能带。 禁带：不同能带间可以有一定的间隔，这个间隔内电子处于不稳定的状态，开成一个禁区称 为禁带。 能态密度：单位能量间距的两等能面间所包含的量子态数目称为能态密度。 1 f (E ) 费米分布函数： ，k 是玻尔兹曼常数，E 为任意能级，E 为费米能级。表示 E  E  B F 1  exp F   k T   B  在能量为 E 的量子态上找到电子的可能性。 费米能：费米子系统在趋于绝对零度时的化学势。 5、费米能与电子轨道占据的关系 一般认为，温度不很高时，能量大于费米能的量子态基本上没有被电子所占据 （几率为0）。 而能量小于费米能的量子态基本上被电子所占据 （几率为1）。所以费米能极比较直观的反 映了电子占据量子态的情况，即费米能级标志电子填充能级的水平 6、半导体中量子跃迁的三种方式：受激吸收（光电探测器原理）、自发辐射（LED 原理）、 受激发射 （LD 原理） 7、载流子：运载电荷的粒子称为载流子，半导体中载流子为自由电子和空穴。 8、P 型和 N 型半导体的定义 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导 体，多数载流子是空穴。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子 的位置，就形成N 型半导体，多数载流子是电子。 1 《光电子》复习资料 by.光 2 客服 9、半导体受激发射必要条件：由光子引起电子由导带跃迁到价带发射相同光子的几率大于 因吸收光子由价带跃迁到导带发射相同光子的几率,即受激发射超过吸收。 10、由对同种材料不同掺杂后形成的两种半导体构成的 pn 结称为同质结。由两种不同禁带 宽度的半导体构成的结称为异质结。 11、LD 与 LED 在原理、结构和性能上异同： （1）原理上的差别：LED 是利用注入有源区的载流子自发辐射发光，LD 是受激辐射发光。 （2）结构上的差别：LD 有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED 没有谐振腔。 （3）性能上的差别：LED 没有阈值特性 ,光谱密度比 LD 高几个数量级 , LED 输出光功率小, 发散角大。 两者使用的半导体材料相同，结构相似，多采用双异质结结构。 12、异质结与同质结相比较有什么优点？ 注入电子和 p-GaAs 中的空穴发生复合产生光辐射。由于AlGaAs 的禁带宽度大