常用电子元器件晶闸管.pptVIP

20.1.1 基本结构 工作原理 (1)反向阻断：晶闸管加反向电压（即阳极a接电源负极，阴极b接正极），晶闸管不导通。 (2)正向阻断：晶闸管加正向电压（即阳极a接电源正极，阴极b接负极），但开关S断开时，控制极g无触发电压，灯不亮，说明晶闸管不导通。 (3)触发导通：晶闸管加正向电压，且开关S闭合，即在控制极g加正向触发电压，灯亮，说明晶闸管导通。 （4）导通后控制失去控制作用 ——一旦晶闸管触发导通后，即使将开关S断开，移去触发电压，晶闸管仍保持导通状态。要使晶闸管断开，必须在阳极和阴极之间外加反向电压，或者将正向电压降低到一定数值，使流过晶闸管的电流很小而关断。 * * 常 用 电 子 元 器 件 -晶闸管 晶闸管，场效应管的应用场合？ 晶闸管，场效应管型号命名？ 晶闸管，场效应管表示符号？ 晶闸管，场效应管主要参数？ 晶闸管，场效应管的种类？ 晶闸管，场效应管的检测方法？ 资讯： 晶闸管 （Silicon Controlled Rectifier） 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。 优点： G 控制极 K 阴极 G 阳极 A P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 晶闸管是具有三个PN结的四层结构, 其外形、结构及符号如图。 (c) 结构 K G A (b) 符号 (a) 外形 晶闸管的外形、结构及符号 三 个PN  结 P1 P2 N1 N2 K G A 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 + K A T2 T1 _ P2 N1 N2 IG IA P1 N1 P2 IK G P P N N N P A G K T1 T2 A 在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。 形成正反馈过程 K G EA 0、EG 0 EG EA + _ R 晶闸管导通后，去掉EG ， 依靠正反馈，仍可维持导通状态。 G EA 0、EG 0 K EA + _ R T1 T2 EG A 形成正反馈过程 晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。 晶闸管关断的条件： 1. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压。 k + L Ug s g a - 反向阻断 k + L Ug g a - S 正向阻断 k + L Ug g a - S 触发导通 k + L Ug g a - S 导通后控制极失控 晶闸管型号及其含义 导通时平均电压组别 共九级, 用字母A~I表示0.4~1.2V 额定电压,用百位或千位数表示取UFRM或URRM较小者 额定正向平均电流(IF) （晶闸管类型） P--普通晶闸管 K--快速晶闸管 S --双向晶闸管 晶闸管 K P 普通型 如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V。 晶闸管的主要参数有：　　（1）正向阻断峰值电压VFRM　　在控制极开路和正向阻断的条件下，允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。　　（2）反向阻断峰值电压VRRM　　在控制极开路时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压，称为反向阻断峰值电压。　　VFRM和VRRM在数值上一般相近，统称为晶闸管的阻断峰值电压。通常把其中较小的那个数值作为该型号器件上的额定电压值，用VN表示。　　由于瞬时过电压也会使晶闸管损坏，因此晶闸管的额定电压VN应选为正常工作峰值电压的1.5～2倍，以确保安全。例如，如果用市电 220 V向一个晶闸管供电，则应选用标称额定电压VN值为 468～625 V的晶闸管为宜。 （3）额定正向平均电流IF　　在规定的标准散热条件和环境温度（40°C）下，晶闸管的阳极和阴极间允许连续通过的工频正弦半波电流的平均值，称为额定正向平均电流。　　由于晶闸管的过载能力小，选用晶闸管的额定正向平均电流时，至少应大于正常工作平均电流的1.5～2倍，以留有一定的余地。　　（4）维持电流