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在等离子体刻蚀工艺中，关键的工艺参数是射频功率和刻蚀时间。 刻蚀不足：电池的并联电阻会下降。 射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能变差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。 * 刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。 射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。 * 检验方法 冷热探针法 冷热探针法测导电型号 * 检验原理 热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。 同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。 此电势差可以用简单的微伏表测量。 热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。 * 检验操作及判断 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。 如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。 * 等离子刻蚀注意点 单面扩散在镀膜结束前绝对不能搞混正反面 刻蚀前要保证硅片边缘对齐 辉光过程注意实际输出功率和反射功率以及辉光颜色 * 在扩散过程中发生如下反应： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子： 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。 什么是磷硅玻璃？ * 氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。 若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 总反应式为： * PECVD PECVD =Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积，其它的有HWCVD，LPCVD，MOCVD等。 PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 * 工艺流程 上料—加热-镀膜-冷却—下料 * PECVD原理 PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。 * CVD各工艺条件的比较 其它方法的沉积温度： APCVD—常压CVD，700-1000℃ LPCVD—低压CVD， 750℃，0.1mbar 对比 PECVD — 300-450 ℃，0.1mbar * PECVD的特点 PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（450℃）。因此带来的好处： 节省能源，降低成本 提高产能 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减 * 太阳能电池制造工艺 制绒-刻蚀-镀膜 * 培训内容 制绒 清洗 刻蚀 去PSG 镀膜 * 制绒的作用 去除损伤层 形成减反射绒面（陷光结构） 单晶绒面为金字塔结构,多晶为蜂窝状结构 * 单晶制绒: 超声清洗 装片 粗抛（去除表面损伤） 制绒（形成绒面） 清洗 HCl（去金属离子） HF（去除氧化物） 清洗 干燥 清洗 * 硅的晶体结构 金刚石结构 * 硅的晶向 * 单晶制绒的原理 各向异性 目前太阳能电池所用硅片均为100面 * NaOH（氢氧化钠） IPA（乙丙醇） Na2SiO3（硅酸钠 单晶制绒所需的化学药品 * 化学原理： Si + 2NaOH + H2O → Na2SiO3 + 2H2↑ Na2SiO3 + H2O → H2SiO3 + OH-