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CVD技术与介质膜淀积 李艳 集成技术中心 中国科学院半导体研究所 2009年11月 化学气相淀积CVD CVD原理 反应非常复杂 简单分为气体传输和表面化学反应两部分 CVD原理 质量传输控制过程：淀积速度由输运到衬底表面的反应物数量决定。 对温度不敏感，其反应速度基本上不随温度变化。 表面反应控制过程：在低温下，表面反应速度较低。反应物达到衬底表面的速度相对较快。淀积速度由表面反应速度决定。 对温度变化敏感，速率随温度的升高增加。 淀积速度的限制过程：由最慢的反应阶段决定 APCVD 常压CVD ：在大气压下进行薄膜淀积，是最早应用的CVD工艺。由质量传输控制淀积速率。 缺点： 温度高，膜的质量和均匀性差，容易形成颗粒，一般只用于SiO2的淀积。 优点：设备简单，反应速率快。对于价格敏感的器件的厚介质膜淀积很有吸引力。 LPCVD 低压CVD：在低气压下反应，可以淀积多种薄膜，包括多晶硅、二氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、金属W等。 淀积的薄膜致密性好，具有优良的台阶覆盖性能和间隙填充性能，目前应用相当广泛。 反应温度较高：一般在600~1000℃。 表面反应控制：LPCVD在较低的气压下，气体的扩散速率比大气压下高出很多倍，加快了反应气体输运到衬底表面的速度。 重要参数：温度 均匀恒定的温度 良好的均匀性 精确控制温度比精确控制气体流量相对简单，LPCVD的均匀性远好于APCVD。 主要缺点：高的工艺温度和低的淀积速率。 降低温度会导致膜的质量变差，淀积速率变慢。通过提高反应气体浓度提高淀积速率易产生颗粒。 PECVD 等离子体增强化学气相淀积法PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 通过射频激发的等离子体来激活和维持化学反应。 最突出的优点：低温，一般380℃,可以在低熔点金属电极（如Al）上淀积薄膜。 其他优点：更高的淀积速率，膜具有良好的电学性能，低的针孔密度，好的衬底附着性，良好的台阶覆盖性。 表面反应控制型：良好的均匀性需要精确控制衬底的温度。 在超大规模集成电路，光电器件，MEMS等多个领域得到广泛应用。 第二部分 常用介质膜介绍 SiO2、SiNx 最常用介质膜：SiO2 自然氧化层：在室温下硅片一旦暴露在空气中即会形成。 几个原子层厚，约2.5nm左右 优势：良好的化学稳定性和电绝缘性； 和衬底的粘附性好； 对B、P、As、Sb等杂质有很好的掩蔽作用，可实现选择性扩散。 用途：广泛用做绝缘层，电性能隔离层，器件保护层，介质层，栅氧化层和刻蚀掩膜等。 最常用介质膜：SiO2 按结构分：晶体(石英、水晶等)和非晶体(无定形) 均为Si-O四面体，中心是Si原子，四个顶角是O原子 制备方法：热氧化、LPCVD、PECVD和溅射等。制备的二氧化硅都是无定形薄膜。 图形化：湿法 湿法腐蚀：适用于4um以上大图形。 SiO2化学性质很稳定，在酸中只和HF发生化学反应，生成溶于水的六氟硅酸。 与强碱发生极慢反应 浓HF：速度快，不易控制 BHF（BOE）：添加了NH4F，速率均匀可控 图形化：湿法 SiO2腐蚀速率的快慢与温度、HF的浓度、SiO2的质量等情况有关。 室温 6:1的BHF（NH4F：HF = 6：1） 腐蚀热氧SiO2的速率是100nm/min。 腐蚀CVD SiO2的速率快很多，一般在10倍以上。 图形化：干法 干法刻蚀：使用F基气体刻蚀，生成易挥发的SiF4 常用气体：C4F8、CHF3、SF6等 适用于微细图形、厚膜、石英等刻蚀 缺点：损伤大，去胶困难 小片需粘油 常用介质膜：氮化硅 物理和化学性能十分优良：良好的绝缘性、稳定性，较高的抗氧化、抗腐蚀能力以及优异的杂质离子（尤其是Na离子）和水汽的掩蔽能力。 在半导体器件和集成电路中常作为最终保护层、表面钝化层等使用。 优良的力学和机械性能：高硬度，高杨氏模量，良好的抗疲劳强度、抗折断能力和耐磨能力。 在MEMS系统中常用于制作探针、悬臂梁等结构部件。 缺点： 非Si3N4标准化学计量配比 ，简写为SiNx 介电常数高：6~9(CVD SiO2约为4.2) 不适用于层间介质膜。会造成大的寄生电容，从而降低电路的速度。 应力大：远大于SiO2，厚膜易龟裂 湿法腐蚀相对复杂 制备方法：LPCVD、PECVD 图形化： 湿法腐蚀：热H3PO4（160℃以上） LPCVD SiNx：HF腐蚀速率极慢 PECVD SiNx：HF腐蚀速率慢 干法刻蚀：同SiO2，F基气体刻蚀 常用介质膜：氮氧化硅 氮氧化硅（S