NOR Flash 编程.doc

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2017-12-17 发布于河南
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NOR Flash 编程

NOR Flash 编程//**************************************************************************************************//*** norflash操作原理：假设现在讨论的norflash连接在cpu的地址空间的0x0C000000位置的intel L18F256 32MB norflash(块大小为128KB)/*intel E28F128J3A150 16MB 16bit norflash 和bf561相连的接法为：bf561 = E28F128J3A150A[23:1] = A[23:1] //bf561给norflash的地址信号D[15:0] = D[15:0] //bf561给norflash的数据信号/AMS0 = /CE //bf561给norflash的片选信号/AOE = /OE //bf561给norflash的读信号/AWE = /WE //bf561给norflash的写信号/BYTE //上拉为高 VPEN //上拉为高/RP //上拉为高*/1.norflash读取生产ID和设备ID的步骤：1)执行相应的命令序列：=向norflash的基地址发送命*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x00AA;*(0x0C000000 + 0x2AAA) = 0x0055;*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x0090;2)开始读取生产ID:(u16)mnfID=*(0x0C000000+0x0);3)开始读取设备ID:(u16)devID=*(0x0C000000+0x2);2.以块为单位擦除norflash的步骤：(假设擦除uboot所在分区:0x0C100000)1)禁止flash的写保护： //设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)2)Block unlock *((short*)0x0C100000) = 0x0060; //块对齐地址*((short*)0x0C100000) = 0x00D0; //块对齐地址while(!(*((short*)0x0C100000) 0x0080)); //块对齐地址*((short*)0x0C100000) = 0x00FF; //设置norflash为read array模式3)执行擦除命令序列：=向要操作的块地址发送命令*((short*)0x0C100000) = 0x0020; //块对齐地址，INTEL_ERASE_CMD0*((short*)0x0C100000) = 0x00D0; //块对齐地址，INTEL_ERASE_CMD1while (!(*((short*)0x0C100000) 0x0080)); //块对齐地址，等待直到擦除结束 5)设置norflash为read array模式*((short*)0x0C100000) = 0x00FF; //让norflash重新进入read array模式6)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)3.以块为单位写norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)/*发送写命令(0xE8)-发送数据-发送确认写命令(0xD0)-确认状态寄存器命令(0x70)-清掉状态寄存器命令(0x50)块对齐字对齐块对齐字对齐字对齐*/1)禁止flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)2)发送写命令： //块对齐地址*((short*)0x0C100000)=0x00E8; //块对齐地址，program setup commandwhile(!(*0x0C100000 0x0080)); //块对齐地址3)开始发送要写到flash的数据 =(这些数据会在norflash芯片内部的buffer中锁存起来) =每次2个字节，因为数据总线宽度为16位(short *)ulData = 0=SDRAM的地址(long *)psAddress = 0x0C000000 =Norflash的地址for(i=0; i15; i++){*psAddress = ulData[i];psAddress++;}4)通知norflash将存在自己buffer中的数据写到norflash的介质上：*((short*)0x0C100000)=0x00D0; //块对齐地址5)读状态寄存