集成电路实验ZeniVERI系列工具概述.ppt

附：版图的一些设计要求 Mos 管的结构 版图设计的一些规则 用Zeni软件画版图 n 型 MOS 管 p 掺杂半导体衬底 n n 导体 绝缘体 漏极 栅极 源极 耗尽型电路符号 栅极 源极 漏极 衬底 增强型电路符号 栅极 源极 漏极 衬底 Nmos管结构和符号 pmos管的结构及符号 Cmos管结构 G S D G D S N + N + P + P + P + NMOS PMOS N - SUB P 阱 N + G S D G D S N + N + P + P + P + NMOS PMOS P - SUB N 阱 N + B C E N + N + P + P + PMOS P - SUB NMOS N + N + P N 阱 N 阱 纵向 NPN Mos管制作加工 N-Si P- N+ N-Si P- P+ 版图设计的一般规则 RuleNumber Layout Rule Value RN 1.0 Minimum Nwell Width（最少Nwell之间的宽度） 0.7 um RN 1.1 Minimum Nwell Space（最少Nwell大小） 0.7 um RN 1.2 Minimum Nwell Enclosure of Oxide（Nwell包围有源区最少距离） 0.4 um RN 1.3 Minimum Nwell to Oxide Space（Nwell离有源区的最少距离） 0.5 um Rule Number Layout Rule Value RP 1.0 Minimum PImp Width（最少宽度） 0.4um RP 1.1 Minimum PImp Space（最少空间） 0.3um RP 1.2 Minimum PImp Enclosure of Oxide（离场氧最少距离） 0.2um RP 1.3 Minimum Pimp Enclosure of Cont（离过孔的最少距离） 0.2um RP 1.4 NImp and Pimp should not Overlap (Minimum Space) 0.2um Rule Number Layout rule Value RO 1.0 Minimum Poly Width(多晶硅的最小宽度) 0.18 um RO 1.1 Minimum Poly Space（多晶硅之间空间） 0.25 um RO 1.2 Minimum Poly Enclosure of Cont（过孔在多晶硅里的最少距离） 0.1 um RO 1.3 Minimum Poly to Cont Space（多晶硅与过孔的最少距离） 0.2 um RO 1.4 Minimum Poly Extension Past Oxide（多晶硅穿过场氧最少的距离） 0.25 um RO 1.5 Minimum Poly to Oxide Space（多晶硅离场氧的距离） 0.2 um RC 1.0 Cont Width (Minimum and Maximum) （过孔的大小） 0.2 um RC 1.1 Minimum Oxide Enclosure of Cont（场氧的过孔的离场氧的距离） 0.2 um RC 1.2 Minimum Cont Space（场氧的过孔的之间的距离） 0.15 um 反相器版图规则示意 用Zeni软件画mos器件版图 N型二极管： P型二极管： 谢谢观赏 作者：徐李科特 2013年12月20日 主要内容： 1、利用Zeni软件画Schematic原理图 2、从设计管理器中创建INV单元Symbol视图 3、电路图的编辑与电路仿真 4、版图(Layout)的简单设计 5、附：版图的一些设计要求 利用Zeni软件画原理图 原理图主要是由Instance、Pin等经过Wire相连而成的；下面详细介绍在原理图编辑器（ZSE）中构建A库中的INV原理图，主要参考PLL库中的INV原理图。 创建一个新的library 元件库A ，单击快 再在新建的元件库A里新建一个单元文件cell 取名为a，并在ViewType栏上选择Schematic原理图工作页面，然后就可以在Schematic 上添加元件，如MOS管，引脚等，并用导线连接上。保存 ，检测电路是否有错误，如无错误，那一个电路图就画完了。路程如下图： 在构建反向器原理图时，需要调用基本器件PMOS和NMOS，九天系统的系统库Analog中提供了一系列的基本器件，可以直接调用。 调用方法1：在原理图编辑器的左上角（黄色圈起部分）为基本器件的快捷方式，直接点击PMOS快捷图标和NMOS快捷图标，相