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尺寸可控的纳米硅的生长模型和试验验证!-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证!
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刘艳松 陈 铠 乔 峰 黄信凡 韩培高 钱 波 马忠元 李 伟 徐 骏 陈坤基
（南京大学物理系，固体微结构物理国家重点实验室，南京 #$$% ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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基于经典热力学理论，对 ： 三明治结构或 ： 多层膜结构中纳米硅成核，以及从
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球形到鼓形的生长过程进行了研究 建立了限制性晶化理论模型：在纳米硅生长过程中，由于界面能增大将导致
1
生长停止，给出限制性晶化条件——— ： 子层厚度小于 在激光晶化和常规热退火两种方法形成的
*+,- 0 2 34 1
*+,-. / 35+,-/ *+,-. 三明治结构和35+,-/ *+,-. 多层膜结构中验证了该理论模型1
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关键词：非晶硅，纳米硅，激光辐照，结晶
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使形成的35+,- 具有相同形状和尺寸，且35+,- 尺寸
与 层厚相同，从而获得尺寸可控的 层 我
#F 引 言 *+,- 35+,- 1
们利用经典热力学理论建立了限制性生长模型，确
自从 世纪 年代初在多孔硅中发现纳米硅 定了受限制性晶化原理控制的 层的临界厚度为
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