安规贴片电容的参数及作用安规贴片电容的参数及作用.pdf

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安规贴片电容的参数及作用安规贴片电容的参数及作用

安规贴片电容的参数及作用   CBB大电容贴片电容具有容量大,体积小,容易片式化等特点,是当今移动通信设 备、计算机板卡以及家电遥控器中使用最多的元件之一。为了满足电子设备的整机向 小型化、大容量化、高可靠性的需要,CBB大电容贴片电容本身也在迅速地发展:种 类不断增加,体积不断缩小,性能不断提高。   此外,CBB大电容贴片电容还在朝着多元化的方向发展:    ①为了适应便携式通信工具的需求,CBB大电容贴片电容器正向低电压、大容量、 超小和超薄的方向发展。    ②为了适应某些电子整机(如军用通信设备)的发展,高耐压、大电流、大功 率、超高Q值、低ESR型的中高压CBB大电容贴片电容器也是目前的一个重要的发展方 向。    ③为了适应线路高度集成化的要求,多功能复合CBB大电容贴片电容器正成为技 术研究热点。      1片式叠层陶瓷介质电容器  在CBB大电容贴片电容器里用得最多的是片式叠层陶瓷介质电容器。  片式叠层陶瓷电容器(MLCC),简称片式叠层电容器(或进一步简称为CBB大电容贴 片电容器),是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过 一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一 个类似独石的结构体,故也叫独石电容器,片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结 构,其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。因此,该电容器的电容量计算公式 为   C=NKA/t  式中,C为电容量;N为电极层数;K为介电常数(俗称K值);A为相对电极 覆盖面积;t为电极间距(介质厚度)。  由此式可见,为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。只要增 大N (增加层数)便可增大电容量。当然采用高K值材料(降低稳定性能)、 增加A (增大体积)和减小t (降低电压耐受能力)也是可以采取的办法。  这里特别说一说介电常数K值,它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。电 容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间(长期工作的稳定 性)等对不同的介质会有不同的影响,通常介电常数(K值)越大,稳定性、 可靠性和耐用性能越差。  常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧 化物等配制而成。其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用 范围广和高频特性好,用在要求较高的场合(I类瓷介电容器)中。  另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷,常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质,一般以 BaTiO3为主体的铁电陶瓷,其特点是介电系数特别高,达到数千,甚至上万;但是介 电系数随温度呈非线性变化,介电常数随施加的外电场也有非线性关系。  目前最常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型:COG或NPO是超稳定材料,K值为10~ 100;X7R是较稳定的材料,K值为2000~4000;Y5V或Z5U为一般用途的材料,K值为 5000~25000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(CC 和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT 和CT41) 两种。上述材料中,COG和NPO为超稳定材料,在-55℃~+125℃范围内电容器的容量 变化不超过±30ppm/℃。 谢谢聆听 THANK YOU FOR YOUR ATTENTION

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