模拟电子技术PPT电子课件教案-第一章 常用半导体器件.ppt

（3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： ① U（BR）EBO——集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏～十几伏。 ② U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。 ③ U（BR）CEO——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。 在实际使用时，还有 U（BR）CER、U（BR）CES 等击穿电压。 - - (BR)CEO U (BR)CBO U (BR)EBO U 1.3.6 温度对三极管参数的影响 1.4 场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用 1.4.1 结型场效应管的工作原理 结构和符号 N沟道 P沟道 结型场效应管的工作原理