脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅微腔以及其光学性能研究.docVIP

脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅微腔及其光学性能研究 摘 要 多孔硅微腔 (PSM) 是由一个中间光学活性层夹在上下两个布拉格反射镜 (DBR) 组成的“三明治”结构。多孔硅光学微腔晶体在室温下可发射可见光，并且发光峰值非常窄。同时由于PSM的多孔性和巨大的内表面积，使得PSM的光学性质对环境的改变有着非常高的灵敏度，在传感器方面有着广泛的用途。本文通过电化学阳极腐蚀法，通过改变阳极腐蚀的参数制备了处于不同可见光波段的共振波长λc的PSM。研究了腐蚀时间和λc的关系曲线，以及新制备的和经过热氧化处理后的PSM的反射光谱和红外光谱的变化。 关键词 多孔硅微腔；传感器；脉冲电化学腐蚀法；光学性能 1. 前言 早在20世纪50年代贝尔实验室的Uhlir在研究硅的电化学抛光时就发现若将硅片浸泡在一定浓度的HF酸溶液中并通以一定电流密度的腐蚀电流，其表面不是被抛光，而是出现一层红色、棕色或黑色的膜层，这就是多孔硅 (PS)。自从1990年L. T. Canham首次报道了多孔硅在室温下具有强的光致可见光发射现象后，为全硅基光电子集成开辟了一条新的途径。 然而，尽管多孔硅的发光效率相对于单晶硅提高约四个数量级而达到3 %，但相对于作为发光材料的III-V族化合物半导体的15 %发光效率仍低一个数量级。此外，多孔硅还存在发光谱带较宽、辐射复合寿命较长等问题。多孔硅微腔 (porous silicon microcavity，PSM)的提出及其技术上的初步实现，为解决上述问题提供了契机。研究结果表明优化的PSM的发光强度相比PS提高约20倍，而发光峰的半高宽 (FWHM) 则由多孔硅时的约150 nm变为几个纳米。 PSM是指发光有源层夹在两个分布布拉格反射镜 (dielectric Bragg reflectors，DBR) 中间形成的“三明治”结构。如图1所示。由于PS的折射率n依赖于孔隙率，将薄膜光学中干涉滤光片的原理应用于PS多层膜结构中，即可设计出PSM。在PSM结构中，DBR由分别具有高/低折射率n的两种PS层交替构成，且对称分布在同样由PS层构成的发光有源层两边。于是，由于微腔对处于其中的光子具有空间限域作用，处于受激状态的中心发光有源层在其谐振波长λc处的自发辐射将得以增强，而非λc处的自发辐射将得到抑制。 多孔硅制备过程中，周期性的改变电流密度，使得多孔硅层的折射率周期性的变化，就实现了DBR。DBR双层是由λ/4波长光学厚度的高/低孔隙率多层交叠而成的，相邻高低折射率层的折射率分别为nH和nL，厚度为dH和dL。反射谱的极大值波长由Bragg条件给出： 2 (nHdH +nLdL)/m= λBragg (1) m是整数，n和d的值分别由电流密度和腐蚀时间决定。从Bragg条件可知，通过调整电流密度和腐蚀时间，Bragg波长可调到满足实际应用的任意位置。 Bragg反射镜反射谱FWHM的谱宽δλBragg = 2λBragg/N，N为Bragg镜面层数。因此，δλBragg与λBragg成正比，与多孔硅高低折射率层的层数成正比。电流密度和阳极氧化时间改变导致高低折射率层的折射率nH、nL，厚度dH、dL发生改变，反射谱发生漂移，漂移量 ΔλBragg = 2 (nHΔdH + dHΔnH +nLΔdL+dLΔnL)/m (2) 如果将两个Bragg反射镜间加入一层高多孔度 (低折射率) 或低多孔度 (高折射率) 的发光多孔硅层，且具有λc/2波长或其整数倍的光学厚度，即nACdAC = mλc/2，就形成了PSM，或称为Fabry-Perot结构。λc是高反射区 (截止带，Stop-band) 的中心波长，或者是微腔的共振峰波长。这是典型的“三明治”结构，在光的激励下，就可以沿法线方向在小立体角内发射窄峰，从而达到选模的目的。当多孔硅微腔的激活层折射率和厚度发生变化时，共振峰的位置也会发生漂移，漂移量为 ΔλAC = nACΔdAC +dACΔnAC (3) 图1. 光学微腔晶体的生长和结构示意图 PSM具有的独特性能使得其可应用于许多领域中。例如其在传感器、发光二极管(LED)、非线性光学等系统中均有广阔的应用前景。由于PSM的多孔性和具有巨大的内表面积，这使其在传感器应用方面占极大优势。一般说来，PSM 光学传感器是基于对DBR反射率测量，或者是在可见光区域对PSM 的PL谱测量来实现的。当把PSM 置于某种气氛或某液态环境中时，在其反射谱的截止带中，可观测到可重复、且完全可逆的变化现象。其原因为气孔内部充满的不同介质导致了微腔层平均折射率的变化，进而反映在反射谱中