BeMgZnSe异质结构制备及激射特性研究.pdfVIP

2000年 10月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 BeMgZnSe异质结构制备及 杨宝均 张吉英 申德振郑著宏 范希武 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，长春 130021 1、引 言 多年来人们一直感兴趣于ZnSe基宽禁带11-VI族半导体的蓝和蓝绿发光及激光二极管 (LD解究。自近年来ZnSeLD蓝绿激射在优化器件设计和减少存在的缺陷密度后其寿命已 达到近千小时，但这离应用仍有一段距离。经大量研究发现，导致ZnSeLD寿命衰变的主 要原因是来自GaAs衬底与ZnSe外延层界面缺陷向发光区扩展引起的，由于ZnSe.CdSe、 ZnS等宽带II-VI族半导体材料与GaN等 III-V族材料相比有强的离子性和软的晶格硬度， 从而促使了这种缺陷的扩展。因此，在Znse基半导体中娜人共价性强、晶格硬度大的一 种宽带II-VI族材料被 (Be)的思想被提出来，且由waag[1]和MW-[21等人分别用分子束 外延 (MBE)方法实现了77K和室温57小时的Be基ZoSeID绿色激射。我们曾用常压 金属有机化学气相沉积 (MOCVD)和光助的低压MOCVD实现了ZnSepn二极管的室温蓝