光伏InSb器件钝化层不稳定性分析研究.pdfVIP

光伏InSb器件钝化层不稳定性分析 杜红燕 张健 (中国电子集团总公司第十一蓐院所 北京 100015) 摘要：本文分析了抽真空烘烤过程中，光佚b黯器件电性能不稳定现象．一定条件下H20可 以进．出器件钝化屡，并引起界面电荷变45；真空烘烤过程中烘烤温度可毗改善舍阳极氧化层器件 的I-V曲线；真空状态下器件尤其是含阳极氧化层器件受照明荧光灯照射会使器件的I-v曲线变差． 光键词：先侠InSb；钝化层：不稳定性 1．引言 hlSb材料在77K时截止波长为5．4pm，其电子迁移率很高，加之其制各工艺成熟，是制备3~5 1．tm波段红外探测器的主要材料．由于hlSb是窄禁带半导体，光伏玷Sb器件的性能往往受钝化层 界面电性能的制约．钝化层在一定条件下的不稳定。也就使器件的电性能不稳定。 工程化的InSb器件封装方法之一，是将器件密封在高真空的杜瓦瓶中，这一工艺需将装有器件 的杜瓦瓶接在真空排气台上，抽真空烘烤数天后封下，我们发现在这一过程中。器件性能有不稳定 现象，我们为此做了相关实验。并进行了讨论。 2．器件工艺 中闭管扩散成结。扩散后的晶片经减簿P+层、光刻、腐蚀形成台面型线列器件，随后的钝化工艺分 积