Band-offsetratio对分析蓝紫光氮化铟镓量子井雷射特性之影响.PDFVIP

子井雷射特性之影響 文／顏勝宏 、林正洋 、陳美玲 、劉柏挺 、郭艷光 摘要 Band-offsetratio在分析氮化銦鎵量子井雷射元件的特性上，是一個很重要的參數。本文以 在分析藍紫光氮化銦鎵量子井雷射特性上的差異。研究內容包括電子溢流、受激再結合速率、以及 電子與電洞濃度分佈等，並且探討量子井個數與臨界電流的關係。研究結果顯示，多量子井結構在 較長發光波長時，比值7：3的電子濃度分佈不均勻；而比值3：7的電洞濃度分佈極不均勻。此外， 當比值為3：7時，波長小於426nm的量子井結構以雙量子井的臨界電流較小；當波長大於426 nm 時，則是以單量子井的臨界電流為最小。另一方面，當比值為7：3時，分界點則移至450 nm左右。 一、前言 電子溢流和電洞分佈不均勻與量子井深度有 關，然而大家對氮化銦鎵量子井之導電帶井深對價 氮化銦鎵(InGaN)半導體雷射在光學儲存、高 密度DVD、全彩顯示器、以及醫學等方面的應用， 電帶井深的比值(band-offsetr