2007同济大学电科课件 集成电路工艺 氧化.ppt

Chap 2 氧化 返回 introduction 硅易氧化 几个原子层厚，1nm左右 氧化膜化学性质稳定，绝缘性好 SiO2的存在形态 晶体：石英、水晶等 石英砂，主要成分为SiO2 ，作为制备硅原料的核心材料 非晶体：玻璃等 SiO2的作用 在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分 作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 SiO2的结构及性质 SiO2的结构 SiO2的性质 SiO2的掩蔽作用 SiO2的结构 结晶形SiO2是由Si-O四面体在空间规则排列所构成。每个顶角上的氧原子都与相邻的两个Si-O四面体中心的硅形成共价键，氧原子的化合价也被满足 无定形SiO2的结构 Amorphous Si02 中Si—0—Si键角为110 o~180o 桥联氧：与两个相邻的Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥联氧：只与一个Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥联氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小……… 无定形Si02的强度为桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数 结晶态和无定形态区分——非桥联氧是否存在 SiO2中硅、氧的扩散 硅要运动，打破四个0—Si 键 氧要运动，打破两个0—Si 键，对非桥键氧，只需打破一个0—Si 键 故氧的运动同硅相比更容易，氧的扩散系数比硅的大几个数量级 氧化时，是氧或水汽等氧化剂穿过SiO2层，到达Si- SiO2界面，与硅反应，而非硅向外表面运动，在表面与氧化剂反应生成SiO2 SiO2的性质 密度：表征致密程度 结晶形：2.65g/cm3 非结晶形：2.15~2.25g/cm3 折射率：表征光学性质 密度较大的SiO2具有较大的折射率 电阻率： 与制备方法及所含杂质数量等因素有关，高温干氧氧化制备的电阻率达1016Ω· cm （绝缘体〉109 Ω· cm） SiO2的性质 介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压 大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关 一般为106~107V/cm 介电常数:表征电容性能 SiO2的相对介电常数为3.9 SiO2的性质 腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反应 还可与强碱缓慢反应 薄膜应力为压应力 SiO2的掩蔽作用 杂质在SiO2中的存在形式 网络形成者 三价网络形成者(如B)增加非桥键氧数目，降低强度 五价网络形成者(如P)减少非桥键氧数目，增加强度 P、B；通常这类物质在SiO2中扩散系数很小——掩蔽作用 杂质在SiO2中的存在形式 网络改变者 Na、K、Pb、Ba 以氧化物形式进入SiO2后离化，增加非桥键氧浓度，降低强度，易运动，破坏电路的稳定性和可靠性。 水汽的行为类似于网络改变者 杂质在SiO2中的扩散 ?E为杂质在中的扩散激活能，Do为表观扩散系数 杂质在SiO2中的扩散系数 B、P、As等常用杂质的扩散系数小， SiO2对这类杂质可以起掩蔽作用 Ga、某些碱金属的扩散系数大， SiO2对这类杂质就起不到掩蔽作用 掩蔽作用 有效掩蔽条件 杂质的 SiO2有一定厚度 掩蔽效果 以上两条 衬底和SiO2中的杂质浓度 杂质在衬底与SiO2界面的分凝系数 掩蔽作用 掩蔽层厚度的确定 杂质在SiO2表面的浓度为在Si- SiO2界面浓度的1000倍时的SiO2的厚度为最小厚度 对恒定源(余误差） 对有限源（高斯分布） A随时间变化 掩蔽P的扩散过程 掩蔽P的扩散过程 SiO2的制备方法 CVD（化学气相淀积） PVD （物理气相淀积） 热氧化——有什么特点？？ 热氧化生成的SiO2掩蔽能力最强 质量最好，重复性和稳定性好 降低表面悬挂键从而使表面态密度减小，且能很好的控制界面陷阱和固定电荷 硅的氧化生长 Si表面无SiO2，则氧化剂与Si反应，生成SiO2 ，生长速率由表面化学反应的快慢决定。 生成一定厚度的SiO2 层，氧化剂必须以扩散方式运动到Si—SiO2 界面，再与硅反应生成SiO2 ，即反应为扩散控制。 干氧氧化时，40 ? 湿氧氧化时，1000 ?由表面化学反应控制转为扩散控制 每生长一单位厚度的 SiO2，将消耗约0.44单位厚度的硅 SiO2 中CSi=2.2X1022/cm3 ，Si 中CSi =5.0X1022/cm3 热氧化法 干氧氧化 水汽氧化 湿氧氧化 干氧氧化 干氧氧化 氧化剂：干燥氧气 反应温度：900~1200℃ 干氧氧化制备的SiO2的特点 结