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CCS5.4烧写FLASH教程（以TMS320F2812为例）一、前期文件准备如上图所示，CCS5.4环境下烧写FLASH必须将以上文件添加到工程文件夹中，DSP28xxx_CodeStartBranch.asm和DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm可以将FLASH中的部分内容移植到RAM中，增加运行速度。二、具体步骤1、如下图所示，打开工程设置，在general选项卡中，将configuration由Debug[Active]改为Release[Active]，并将Linker command filer改为下图所示的CMD文件。2、在Predefined Symbols 选项卡中添加FLASH 预定义符号。3、在Debug 选项中，修改FLASH下载基本设置，根据实际板子情况，修改晶振OSCCLK。（实验室里的2812板子晶振为20MHz，而28335板子的晶振为30MHz）4、在主函数中添加一下代码：#ifdefFLASH// Copy time critical code and Flash setup code to RAM// The RamfuncsLoadStart, RamfuncsLoadEnd, and RamfuncsRunStart// symbols are created by the linker. Refer to the linkeMemCopy(RamfuncsLoadStart, RamfuncsLoadEnd, RamfuncsRunStart);// Call Flash Initialization to setup flash waitstates// This function must reside in RAMInitFlash(); // Call the flash wrapper init function#endif并且在主函数前面定义变量：externUint16RamfuncsLoadStart;externUint16RamfuncsLoadEnd;externUint16RamfuncsRunStart;最终效果如下：5、打开工程文件夹中的DSP28_SysCtrl.c，在程序开头添加以下语句：#pragma CODE_SECTION(InitFlash, ramfuncs);并且检查此C文件中有没有定义InitFlash函数，如果没有，添加以下代码：voidInitFlash(void){ EALLOW;FlashRegs.FOPT.bit.ENPIPE = 1;FlashRegs.FBANKWAIT.bit.RANDWAIT = 3;//5;FlashRegs.FBANKWAIT.bit.PAGEWAIT = 3;//5;FlashRegs.FSTDBYWAIT.bit.STDBYWAIT = 0x01FF;FlashRegs.FACTIVEWAIT.bit.ACTIVEWAIT = 0x01FF; EDIS;asm( RPT #6 || NOP);}6、最后在F281x_nonBIOS_flash.cmd中添加以下代码：ramfuncs : LOAD = FLASH_CD,RUN = RAM_H0,LOAD_START(_RamfuncsLoadStart),LOAD_END(_RamfuncsLoadEnd),RUN_START(_RamfuncsRunStart),PAGE = 0最终效果如下：三、编译烧录1、Bulid工程文件，修改相应的错误。如果程序内容过大，如果不对CMD文件进行修改，就会出错。打开Release文件下的****.map地址映射文件，根据各部分的内存长度合理分配地址，然后回到CMD，对相应部分进行修改。2、编译没有错误以后，点击debug按钮（绿色甲虫图标），完成FLASH程序的烧写。CCS5.4将擦除FLASH和下载.OUT文件都集成化了，这里不需要再进行额外的操作，如下图所示。3、断开DSP电源，然后将仿真器连在DSP板子的一端拔走（注意：只断开仿真器的USB端和不断开连接DSP一端，会使DSP中的程序无法运行），最后再接通DSP电源。