电流崩塌效应研究进展 AlGaN GaN HEM T.pdf

第25卷　第 1期 固体电子学研究与进展 V o l. 25,N o. 1 　　　　　　　　 　　　　　　　　 2005 年2 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE F eb. , 2005 宽禁带半导体 电流崩塌效应研究进展 A lGaN GaN HEM T 王翠梅　王晓亮　王军喜 ( 中国科学院半导体研究所, 北京, 100083) 收稿,收改稿 摘要: 简要回顾了 器件电流崩塌效应研究的进展, 着重阐述了虚栅模型、应力模型等几 A lGaN GaN H EM T 种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施。 关键词: 铝镓氮氮化镓; 高温电子迁移率晶体管; 电流崩塌效应; 功率器件 中图分类号: TN 304 054　　文献标识码:A 　　文章编号:(2005) 0 103507 Progress of the Research on Curren t Collap se of A lGaN GaN HEM Ts 　 　 W AN G Cu im ei W AN G X iao lian g W AN G J unx i (I ns titu te of S em icond uc tors , Ch inese A cad emy of S c iences, B e ij ing , 100083, CH N ) : A bstract A rev iew on th e p ro g re ss an d re search o f cu r ren t co llap se o f A lGaN GaN H EM T s is p re sen ted. T h e rea son cau sed th e cu r ren t co llap se is b r ief ly in t ro du ced , in clu d in g th e m o del o f v ir tu a l gate an d b ia s st re ss an d so on. A few m etho d s to decrea se cu r ren t co llap se, su ch a s p a ssivat in g , g row in g capp ed layer are a lso de scr ib ed. : ; ; ; Key words A lGaN GaN HEM T curren t collap se power dev ice