液体成膜法气体成膜法-1pdfnet.PPTVIP

AZO混層結構之透明導電薄膜的製備與特性分析 指導老師：林克默 博士 報告學生：郭俊廷 報告日期：2011/6/22 南台科技大學 機械工程研究所 * 大綱 前言 研究目的與動機 實驗方法與分析 薄膜厚度量測分析 微結構分析 電性分析 光學穿透率量測分析 結論 * 透明導電薄膜介紹 %T~80%(in the visible) ρ 10-3 Ωcm TCO (Transparent Conducting Oxide) 首見文獻報導： 1907 - Badeker 發現金屬鉻(Cd)薄膜氧化後，具透明又導電特性。 首次應用： 第二次世界大戰 – 轟炸機的除霧玻璃 * 透明導電薄膜材料 * n-type透明導電材料 能隙(eV) 摻雜物 離子半徑pm 電負度* 氧化銦(In2O3) 3.5-4.2 錫(Sn) 71 1.96 氧化錫(SnO2) 3.8-4.0 銻(Sb) 60 2.05 氟(F) 133 3.98 氧化鋅(ZnO) 3.3(室溫) 硼(B) 27 2.04 鋁(Al) 54 1.61 鎵(Ga) 62 1.81 銦(In) 80 1.78 - - 鋅(Zn) 74 1.65 *參考鮑林之相對電負度 氧化鋅(ZnO)特性與優勢 為n型半導體材料，具有一寬能隙約3.3eV，屬纖鋅礦(Wurzite)結構。 資源豐富、價格便宜和對人體環境傷害低。 隨著摻雜物的不同，可