电离辐射环境中的高速CMOS电路时间特性退化及其机理研究.pdfVIP

第9届全国核电子学与核探侧技术学术年会论文集 Proceee5ngsof伽9htNationalConferenceonNuclearElectronics衣NuclearDetectoinTedinology 电离辐射环境中的高速CMOs电路时间 特性退化及其机理研究 余学峰 严荣良 郭旗 陆妩 张国强 任迪远 (中科院新扭物理研究所，乌奋木齐，830011) 本文对不同辐射环境条件(不同辐屁荆f率.不同辐服伯f)下的离遨54HCCMOs电璐的时间今数响应 特性进行了研究，并对其辐皿退化及失效机侧进行了探讨.取得了一些有价值的研究结果。 关妞询,CMOS电路 总荆fKI射 1 引言 54HC系列CMOS器件与一般CMOS器件相比一个突出优点是速度快.虽然对有关 54HC系列电路的总剂f辐射效应研究已有不少报道，但这些研究大多集中在直流参数的总 荆t辐射响应特性上，对其时间响应特性的研究，尚不充分。随着卫星、航天器和军事系统对器 件速度水平要求的不断提高，积极进行54HC系列高速CMOS电路的时间特性对总剂量辐射 响应的研究已显得非常必要和迫切。 本文对不