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电池线测试题库 题型：填空题100道，判断题50道，问答题30道，案例分析10道 填空题 清洗制绒的目的是为了在硅片上获得表面绒面结构，这种结构对提高晶体硅对光的吸收率有着重要作用。 对于单晶硅，采用碱溶液的各向异性腐蚀，其化学方程式为：2KOH+Si+H2O→K2SiO3+2H2； 多晶硅采用酸溶液的各向同异性腐蚀，其化学反应方程式：Si+4HNO3→SiO2+4NO2+2H2O，SiO2+4HF→SiF4+2H2O和SiF4+2HF→H2[SiF6]。 扩散工艺是在硅片的一面通过扩散磷来形成P-N结，采用POCL3作为扩散源，提供磷原子。 为了将扩散所得的硅片制成P-N结，需把四周的N型层去掉。背面的N型层可以用补偿法消除。用丝网印刷铝浆，然后烧结可以使N型层返回到P型层。 去硅片周边用激光刻蚀的方法和等离子体刻蚀法，我车间采用激光刻蚀的方法去除周边。 激光切割去周边时，必须把激光束照在背电极上，必须控制好激光的强度和运行速度，才能做到对电池片的P-N结无影响。 PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，他们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。 10、由于在氨气圧条件下，提高了活性基团的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度一般可达30~300nm/min以上。 11、PECVD该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。 12、写出PECVD设备中主要的化学反应方程式： 3SiN4+4NH3 Si3N4+12H2 13、进入车间须穿戴好洁净服、帽子，戴好口罩、手套，头发长的要将其放入帽子或衣服中。 14、丝网印刷的工艺流程： 制减反射膜→印刷正电极→低温烘干→印刷背电极→低温烘干→印刷背电场→高温烧结 15、正电极印刷时，应经常性的用无尘布轻擦网板底部，避免栅线过粗。 16、电极的质量与链式烧结炉中的温度分布、传送硅片的网带的前进速度、硅片的清洁度、烧结炉的清洁度等因素有着重要关系。 17、方块电阻（Sheet Resistance）可以理解为在硅片上正方形薄膜两端之间的电阻。测量方块电阻时，相同厚度等距离的两点间会得到相同的电阻。 18、丝网印刷线从前到后依次印刷正银、背银铝和背铝，Rs越小、Rsh越大，电池片效率越高。 19、对于快速烧结炉，冷却水进水口温度18～25℃，冷却水压力为6～8bar，CDA压力为4～8bar，温度上限为zone1～4 650℃，zone5～6 1000℃。 20、异丙醇（IPA）在制绒中的作用，一是能够减缓反应速度，二是能够赶走硅片表面残留的气泡使得硅片表面腐蚀的均匀。 21、在太阳能行业的扩散工艺中，主要原料气体包括POCL3、O2和N2。 22、烧结的目的：干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。 23、少子是在半导体中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。 24、少子寿命是少数载流子受激发从产生到复合的时间，单位为微秒。 25、光伏技术是将太阳能转化为电能的太阳能电池系统。 26、由半导体材料组成的光伏单元吸收阳光后将电子从原子中释放出来。电子在半导体材料中移动产生了电流。 27、将最大输出功率Pm与Uoc和Isc的乘积之比定义为填充因子FF。FF越大则输出功率越高。 28、太阳能电池的转化效率定义为太阳能电池的最大输出功率与照射到太阳能电池的总辐射能之比。 29、去磷硅玻璃是用化学方法除去扩散层的SiO2，SiO2与HF反应生成具有挥发性的SiF4，从而使Si表面的磷硅玻璃去除掉。 30、高温快速烧结炉采用网带传送工作，红外加热升温快、热透性好，热场均匀，集低温烘干和高温烧结于一体。 31、多晶硅晶体与单晶硅显著地不同点是多晶硅的导电性远不如单晶硅。 32、氮化硅的物理性质和化学性质：结构致密，硬度大；能抵御碱金属离子的侵蚀；介电强度高；耐湿性好；耐一般的酸碱，除HF和热H3PO4. 33、选择性发射极结构有两个特征：1）在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2）在其他区域(活性区)形成低掺杂浅扩散区，这样便获得了一个横向高低结。 34、三氯氧磷极易水解，在潮湿的空气中，因水解产生酸雾，水解产生的HCl 熔于源中会使源变成淡黄色，必须换源。 35、扩散系统不干燥时，POCl3+2H2O→HPO3+HCl， HPO3是一种白色粘滞性液体，对硅片有腐蚀作用，并使石英舟粘在管道上不易拉出。 36、丝网印刷由五大要素构成，即丝网、刮刀、浆料、工作台以及基