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霍尔离子源原理及对薄膜的影响 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 霍尔离子源原理及应用 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 离子源工作原理 离子源的种类 按离子能量分为： 高能 200ev以上的 如APS、RF、考夫曼离子源； 低能 200ev以下的霍尔离子源 按类型分： 考夫曼型和霍尔型 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 离子源的工作原理 在真空环境下，利用发射的电子在电场和磁场的相互作用下，使充入真空室的气体产生离化，在电场和磁场的作用下发射离子。 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 霍尔离子源的结构原理 组成部分： 阴极---发射电子 阳极---产生离子 气路---提供离化的气体 电源 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 霍尔离子源结构： 阴极 壳体 阳极 气管 磁场 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 考夫曼离子源的结构简图 壳体 栅极 阳极 气路 磁场 阴极 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 离子源的离子能量： 对于考夫曼离子源：为阳极与栅极之间的电压 霍尔离子源：阳极电压的65~70% 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 两种离子源的特点： 考夫曼离子源的特点：高能低束流，能流密度较低，出射角度较小，适合于镀制较小面积的光学器件；使用成本高； 霍尔离子源的特点：低能大束流，能流密度较大，发射角也较大，适合较大面积的生产使用；使用成本低；适合于大规模生产使用。 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 霍尔离子源与考夫曼离子源的对照表（霍尔离子源更适合IAD） 性能指标 霍尔离子源 考夫曼离子源 离子能量 低（40-200EV） 高（300-2000EV） 离子束流 高（1安以上） 与能量成比例 束流面积 宽（30度半角） 窄 反应气体兼容性 好 很好 颗粒的产生 低 高 简单性/可靠性 好 很好 使用费用 低 高 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 离子源辅助镀膜（IAD）的作用： 1、填充密度提高：折射率提高 2、波长漂移减少； 3、红外波段的水气吸收减少； 4、增强了膜层的结合力、耐摩擦能力、机械强度、提高表面光洁度； 5、控制膜层的应力； 6、减少膜层的吸收和散射； 7、提高生产效率 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 IAD 增加填充密度 高折射率 低水气吸收 增强结合力 更多压应力 光谱稳定性 低红外吸收 长期机械强度 耐磨性 更坚硬 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 IAD对各种材料的作用 1、氧化物 TiO2、Ta2O5、ZrO2、Nb2O5、SiO2、HfO2、Y2O3、Al2O3、CeO2、ITO等 2、氮化物 Si3N4 3、金属 Au、Ag 4、氟化物 MgF2、YF3、PrF3、YbF3 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 离子源对氧化物采用O2为工作气体，可以充分氧化，减少在短波的吸收，降低充氧量 氧化物在550nm的折射率情况: TiO2 2.40 Nb2O5 2.32 Ta2O5 2.16 ZrO2 2.16 HfO2 1.98 Y2O3 1.98 CeO2 2.35 ITO 2.0 SiO2 1.46 Al2O3 1.67 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 TiO2 PVD 基板温度 300度 n=2.2@550 柱状结构 IAD 基板不加温 V=150V,I=0.92A n=2.45@550 立方结构 TiO2应力 张应力 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 SiO2 PVD 多孔 易吸潮,引起光谱漂移 n=1.45 IAD n=1.46 压应力 与TiO2匹配 与离子能量有关,可以调节膜层的吸收、机械稳定性、改善膜层的应力。 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 Al2O3 PVD n=1.6-1.65 多孔柱状结构 IAD Al—Al2O3 n=1.65 无吸收 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 HfO2 UV、VIS、IR IAD n=1.98 减少膜层的非均匀性,折射率增加，光谱漂移减少 可以使用Hf材料用电子枪IAD 蒸发 霍尔离子源原理及对薄膜的影响 Ta2O5/Nb2O5 PDV 正常情况下 不能很好工作，有较大的吸收。 IAD 下，Ta2O5的可见区吸收很小，短波线很短，n=2.16(与离子源参数有关) Nb2O5 n=2.35 与TiO2相近,折射率较稳