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- 2018-01-03 发布于广东
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Si3N4薄膜的制备及结构成分研究’
程绍玉
(中国科学院等离子体物理研究所 合肥 1126信箱)
PreparationandStructuralAnalysisofSi3N4Film
ChengShao-yu
(InstituteofPlasmaPhysics,ChineseAcademvofSciences,Hefei230031)
Abstract:MicrowaveElectronCyclotronResonance(ECR)Plasmaassisted
Chemical-Vapor-Depositiontechnology usedtoprepareSi,N,films,
which wereanalyzed using infrared spectroscopy The analysis
resultsshowedtoatthehi,hthedepositiontemperature is the 1-
Hconcentrationis,andthe
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