浅析硅集成电路工艺基础7.pptVIP

上节课内容小结 生长速率与温度之间的关系 低温区(A区)：表面化学反应控制。 高温区(B区)：实际外延是在高温区外延，表面Si原子有足够的能量和迁移能力，运动到扭转的位置，易生成单晶。 * 原位掺杂：杂质原子是在外延生长过程中掺入到外延层晶格中的，杂质源使外延生长过程变得更为复杂。 掺杂剂：B2H6，PH3，AsH3，稀释后与生长外延层的反应剂一同输送到反应室。 右图是几种掺杂剂的掺入效率与生长温度的关系。硅的生长速率保持恒定时，硼的掺入量随生长温度上升而增加，而磷和砷却随温度上升而下降。 实际掺杂效率还与掺杂剂的类型和浓度、外延层的生长速率、衬底的取向等因素有关。 7.2.1 掺杂原理 * 7.2.2 扩散效应 扩散效应：衬底中的杂质与外延层中的杂质，在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近的杂质浓度缓慢变化。 当杂质的扩散速度远小于外延层的生长速度时，外延层中的杂质浓度分布由下式给出： 式中“+”和“-”分别对应 n/n+ (p/p+) 和 p/n+ (n/p+)型外延片。 * 7.2.3 自掺杂效应 自掺杂效应：在外延生长过程中，衬底或外延层中的杂质进入边界层中，改变了边界层的掺杂成份和浓度，导致外延层中杂质的实际分布偏离理想情况。 在掺杂衬底上生长掺杂外延层时，因为自掺杂效应，外延层中的杂质浓度分布为： 式中Cs为